InP/InGaAs/InP红外光电阴极时间响应特性的模拟研究

孙巧霞; 徐向晏; 安迎波; 曹希斌; 刘虎林; 田进寿; 董改云; 郭晖; 李燕红

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文中理论研究了InP/In0.53Ga0.47As/InP异质结透射式红外光电阴极的时间响应特性,光谱响应范围1.0~1.7μm。在场助偏压的作用下,模拟计算了光激发的电子在阴极内部的传输特性。模拟计算表明,光电阴极的响应速度随场助偏压的增大而加快;随光吸收层厚度的增大而减慢;随光吸收层掺杂浓度的增大,光电阴极的响应速度变慢。发射层厚度及掺杂浓度的增大都会使得阴极的响应时间加长。经过对阴极结构参数和掺杂浓度的优化,得到在吸收层和发射层厚度分别为2μm、0.5μm,掺杂浓度分别为1.5×1015cm-3、1.0×1016cm-3时,在适当场助偏压下光电阴极的响应时间可优于100 ps。

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来源
《红外与激光技术》 |2013年第12期|3163-3167|共5页
作者
孙巧霞; 徐向晏; 安迎波; 曹希斌; 刘虎林; 田进寿; 董改云; 郭晖; 李燕红;
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作者单位

1. 中国科学院西安光学精密机械研究所 2. 微光夜视技术重点实验室;

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正文语种 chi
中图分类红外技术及仪器;
关键词
红外光电阴极; InP/In0.53Ga0.47As/InP; 时间响应特性;

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