太赫兹探测用GaAs MESFET I-V特性模拟计算

李凡; 史衍丽; 赵鲁生; 徐文

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太赫兹探测用GaAs MESFET I-V特性模拟计算

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Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料GaAs,由于其本征载流子浓度比Si约低104,电子迁移率约是Si的5倍,电阻率高达108Ωcm,有利于降低寄生电容,减少漏电流;另外,GaAs材料便于加工,可方便地实现大规模集成,适用于制作MESFET器件。目前用于太赫兹探测的GaAs MESFET在国际上有了较大的发展,为了进一步研究MESFET的器件特性,参照国外现有的作为太赫兹探测的GaAsMESFET器件结构,通过建立器件结构模型,并进行掺杂、网格化后使用Synopsys器件模拟软件求解泊松方程,计算并分析了其电流电压特性。计算结果和实验测量结果比较吻合。

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来源
《红外与激光技术》 |2011年第7期|1205-1208|共4页
作者
李凡; 史衍丽; 赵鲁生; 徐文;
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作者单位

1. 昆明物理研究所 2. 中国科学院合肥固体物理研究所;

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正文语种 chi
中图分类场效应器件;
关键词
金属半导体场效应管; 太赫兹探测; I-V特性; 器件模拟; Synopsys器件模拟软件;

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