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通过降低表面漏泄电流提高InAs/GaSb应变层超晶格探测器性能

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基于Ⅱ型中波红外和长波红外InAs/GaSb应变层超晶格的光电二极管可以用于民用和军用领域的各个方面。目前,这些领域最常用的探测器都是碲镉汞探测器。但是,碲镉汞合金的电子质量较小（约为0.009m0）,由于隧道效应的关系,它们会产生过多的暗电流。

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来源
《红外》 |2011年第1期|45-45|共1页
作者
高国龙;
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作者单位

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正文语种 chi
中图分类半导体能带结构;
关键词
碲镉汞探测器; 应变层超晶格; 漏泄电流; 性能; 表面; 光电二极管; 长波红外; 中波红外;

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