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汪祖民; 许高斌; 展明浩; 郭群英; 方澍;
合肥工业大学电子科学与应用物理学院安徽省微电子机械系统工程技术研究中心,合肥230009;
中国兵器工业第214研究所,蚌埠233042;
加速度计; SOI; 扇形结构; U型压敏电阻;
机译:高填充因数SOI二极管非冷却红外焦平面阵列的设计与分析
机译:SOI上的新型高击穿电压横向肖特基集电极双极晶体管:设计与分析
机译:用于测量弹丸发射和飞行加速度的单片式高克SOI-MEMS加速度计
机译:具有高纵横比的电容式加速度计使用基于多晶硅的互连技术的SOI结构具有高纵横比单晶硅微观结构
机译:基于SOI的完全集成制造工艺,用于高纵横比微机电系统。
机译:纳米岛上集成的基于消逝的硅片上硅片实验室和聚二甲基硅氧烷混合平台用于检测重组生长激素
机译:用于测量射弹发射和飞行加速度的单片高G SOI-MEMS加速度计
机译:绝缘体上硅(sOI)微电子机械系统(mEms)陀螺仪传感器作为双轴加速度计的操作。
机译:调整方法例如电子设备,涉及将基本近似值调整为区域的高值,并基于基本近似值确定高阈值和低阈值
机译:车辆镜的振动检测方法,使用加速度计检测在镜面上形成的三角形拐角处的值,并使用加速度计检测从壳体或车身形成的值
机译:绝缘体上硅(SOI)技术的K值高,而K垫氧化物和结构的方式低
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