首页> 中文期刊> 《安徽大学学报：自然科学版》 >MOS反型层和多晶硅栅量子效应的解析模型

MOS反型层和多晶硅栅量子效应的解析模型

开具论文收录证明 >>

期刊封面封底目录下载 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

在超深亚微米MOS器件中,量子效应对器件特性的影响很大.根据改进后的三角势场近似和曲线拟合,同时对MOS器件反型层和多晶硅栅中电子的量子效应进行了建模,得到了一个基于物理的解析模型,利用该模型计算MOS器件的阈值电压,与数值模拟的结果比较表明,模型的精度令人满意.

著录项

来源
《安徽大学学报：自然科学版》 |2007年第3期|38-40|共3页
作者
金钟; 叶云飞; 陈军宁; 代月花; 孙家讹;
展开▼
作者单位

安徽大学电子科学与技术学院;

展开▼
原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类金属-氧化物-半导体（MOS）器件;
关键词
量子效应; 多晶硅; 阈值电压; 栅电容;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. MOS器件多晶硅栅量子效应的解析模型 [J] . 代月花 ,陈军宁 ,柯导名 . 半导体学报：英文版 . 2005,第11期
2. 人工神经网络在解深亚微米MOSFETs反型层量子效应模型中的应用(英文) [J] . 林榕 ,周欣 ,刘伯安 . 半导体学报：英文版 . 2003,第7期
3. 基于势阱近似的小尺寸MOSFETs反型层解析模型 [J] . 徐火希 ,兰志高 ,罗春娅 . 固体电子学研究与进展 . 2015,第2期
4. 纳米尺度双栅MOS器件反型层电荷的集约建模(英文) [J] . 李萌 ,余志平 . 半导体学报：英文版 . 2007,第11期
5. MOS表面反型层少子时变效应研究 [J] . 刘艳红 ,魏希文 ,许铭真 . 大连理工大学学报 . 2000,第006期
6. 重掺杂多晶硅栅功率VDMOSFET辐射效应研究 [C] . 段雪 ,董四华 ,刘英坤 . 第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会 . 2009
7. 一种型双掺杂多晶硅栅MOSFET的研究 [A] . 徐建彬 . 2015

获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

客服微信
服务号