MOS表面反型层少子时变效应研究

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• 来源
  《大连理工大学学报》 |2000年第6期|661-663|共3页
• 作者

  刘艳红; 魏希文; 许铭真; 谭长华;

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• 作者单位

  大连理工大学,物理系,辽宁,大连,116024;

  大连理工大学,物理系,辽宁,大连,116024;

  北京大学,微电子研究所,北京,10,0871;

  北京大学,微电子研究所,北京,10,0871;

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• 原文格式 PDF
• 正文语种 chi
• 中图分类 O472.1;
• 关键词

  少数载流子; 数值解/MOS结构; 时变效应;