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丁宪锟;
安庆师范学院物理系;
接触电位差; 杂质浓度; 半导体二极管; PN结;
机译:改变在“老化”该光电二极管的接触电位差基于异质结正InSe系 - 对 - GASE
机译:Ge / Si异质结异质结栅极PNPN TFET,具有异质介电盒,可改善I ON / I OFF
机译:NNN和NPN磷烯交界处的电荷输送:使用磷烯PN结作为整流器
机译:基于GaSb的红外太阳能电池的新设备结构:PN同质结,PN异质结和串联细胞
机译:基于InP的NPN和PNP异质结双极晶体管的设计,技术和特性,可增强高频功率放大。
机译:倾斜和不对称的klein隧道跨越平滑的NP结或8-pmmn硼烯的NPN结
机译:硅PN结保护膜I.通过HF-NO2混合气体。形成由硅细晶制成的彩色薄膜及其在PN结表面稳定膜上的应用
机译:改进的电离方法特别适用于连续接触电位差的接触电位差
机译:利用微加热器形成多晶硅的硅层的方法,形成PN结的方法和由该PN结形成的PN结
机译:微加热器阵列,使用其的PN结形成方法以及包括大面积的微加热器阵列和PN结的PN结装置
机译:包括双PN结的存储器件及其驱动方法,以及包括双PN结和控制栅极的电容器存储器件及其操作方法
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