半导体二极管

摘要： 基于产出教育,进行半导体二极管翻转课堂的设计与教学实践,在测控技术与仪器专业毕业要求中明确"模拟电子技术基础"课程教学目标,确定半导体二极管教学目标.介绍教学思路,将教学过程划分为3个阶段,即课前线上资源学习、课堂交流实践、课后总结评价,重点介绍了翻转课堂线上微课内容设计和课堂教学多种教学方式的有效衔接.教学过程体现以学生为中心,重在培养学生实践能力和创新能力.

摘要： 无线点阵LED显示屏主要有发光二极管组成,在进行半导体二极管的像素点排列时,一块显示屏就需要几十万个像素点。LED电子显示屏可以在屏幕上显示出按照要求进行变化的数字、文字以及各种图案,并且利用不同的材料产生的彩色像素点可以保证显示屏完成色彩的还原,进而使得显示对象更加清楚明了。

摘要： 温度传感器能将温度变化信息转换成可处理的电信号信息,广泛应用于温度测量仪表、火灾监测等多个领域.本文利用二极管温度特性设计的简易温度传感器具有较好的线性度,且电路简单等特点,可用于数字温度计、火灾报警器等多个趣味实验的前端探测,有利于培养学生的工程实践动手能力.

摘要： 英国《自然》杂志近日发表了一项材料学最新研究成果:美国麻省理工学院团队通过一种新型制造方法,将发光二极管(LED)和传感器直接织入了纺织级聚合物纤维中。该工艺可用于开发能够实现光通讯和健康监测的新型可穿戴技术。能够发射或探测光的半导体二极管是通讯和传感器技术的基本构件。如果能将它们融入织物之中,则有望创造出新型可穿戴电子设备。然而事实证明,要将半导体器件的功能与基于纤维的纺织品的可扩展性结合起来,实属一件棘手的事。

摘要： 半导体二极管是现代计算、通信和传感的基本构件。因此，将其纳入纺织品级纤维可以提高纤维的性能和功能，例如基于纺织品的通信或生理学监测。然而由于加工技术方面的局限，到目前为止仍无法在热拉伸纤维中实现高质量的半导体二极管。

摘要： 针对华中科技大学光学与电子信息学院现有光纤通信实验箱的不足,在现有实验箱的基础上设计了一套功能改进的实验箱.设计了利用发光二极管进行光发射,塑料光纤传输,光敏二极管进行光接收的光纤传输部分;增加了防止过压损坏半导体二极管的限压保护电路;改进了语音采集模块和语音还原模块的电路;删除了计算机接口模块.改进后的光纤通信实验箱不仅补充了原有实验箱缺失的很重要的一部分—光纤传输与通信,而且增强了实验箱的稳定性与耐用性,增强了实验效果,提高了学生的实验兴趣和创新意识.

摘要： 通过对电子元器件破坏性物理分析(DPA)试验中发现的混合电路中塑封器件检查、X射线检查密封宽度判据、剪切强度判据和半导体二极管芯片目检等问题进行分析、探讨,加强对DPA试验评价电子元器件固有可靠性机理的认识,以实现恰当、灵活运用标准开展DPA工作。

摘要： 通过对电子元器件破坏性物理分析(DPA)试验中发现的混合电路中塑封器件检查、X射线检查密封宽度判据、剪切强度判据和半导体二极管芯片目检等问题进行分析、探讨,加强对DPA试验评价电子元器件固有可靠性机理的认识,以实现恰当、灵活运用标准开展DPA工作.

摘要： 高稳定可调谐半导体二极管激光器,已经在光纤通信、高分辨光谱学、量子计量学及激光原子冷却等一系列科学基础研究和高科技产品开发中得到日益广泛的应用。本文对半导体激光器稳频技术进行了分析和评述，讨论了它们各自的特点和发展趋势。

摘要： 半导体器件就其结构而言,p-n结端部必然要暴露于半导体表面.器件工作时,如何保护pn结不受外界环境的影响,尚是个大问题.这个问题不解决,提高可靠性是不可能的,而且其电气特性也受表面处理的很大影响.因此,半导体表面钝化技术对制造半导体器件而言是非常重要的.目前,中国也在大搞半导体器件的钝化工作,但对最先进的钝化方法——玻璃钝化,玻璃钝化封装二极管有机械强度高、耐气氛性能好几不燃烧的特点。与其他结构的同类管比较，还能允许提高工作温度。玻璃兼有表面钝化封装的双重作用，具有很好的发展前途。

摘要： 分析二极管常见的过电应力失效模式及其产生原因,强调在设计初合理选择器件和搭配电路结构,以降低二极管在客户端使用的失效率,提高整机产品的可靠性。

摘要： 分析二极管常见的过电应力失效模式及其产生原因,强调在设计初合理选择器件和搭配电路结构,以降低二极管在客户端使用的失效率,提高整机产品的可靠性。

摘要： 分析二极管常见的过电应力失效模式及其产生原因,强调在设计初合理选择器件和搭配电路结构,以降低二极管在客户端使用的失效率,提高整机产品的可靠性。

摘要： 分析二极管常见的过电应力失效模式及其产生原因,强调在设计初合理选择器件和搭配电路结构,以降低二极管在客户端使用的失效率,提高整机产品的可靠性。

摘要： 分析二极管常见的过电应力失效模式及其产生原因,强调在设计初合理选择器件和搭配电路结构,以降低二极管在客户端使用的失效率,提高整机产品的可靠性。

摘要： 热压键合是垂直结构LED制备的关键工艺步骤,本文通过TEM、PL、Raman等测试手段,探讨热压键合造成的应力损伤、GaN材料缺陷、LED内量子效率以及反向漏电间的内在联系,研究以键合引起的应力诱导垂直结构GaN基LED光电特性的退化机制,探讨应力损伤对垂直结构GaN基LED光电特性的影响。实验结果表明,热压键合过程会存GaN材料内产生GPa量级的残余应力,在量子限制strark效应作用下,GaN材料辐射复合效率发生明显退化:同时热压键合应力还会诱发GaN材料位错密度的增加,最终导致LED反向漏电增大。

摘要： 热压键合是垂直结构LED制备的关键工艺步骤,本文通过TEM、PL、Raman等测试手段,探讨热压键合造成的应力损伤、GaN材料缺陷、LED内量子效率以及反向漏电间的内在联系,研究以键合引起的应力诱导垂直结构GaN基LED光电特性的退化机制,探讨应力损伤对垂直结构GaN基LED光电特性的影响。实验结果表明,热压键合过程会存GaN材料内产生GPa量级的残余应力,在量子限制strark效应作用下,GaN材料辐射复合效率发生明显退化:同时热压键合应力还会诱发GaN材料位错密度的增加,最终导致LED反向漏电增大。

摘要： 热压键合是垂直结构LED制备的关键工艺步骤,本文通过TEM、PL、Raman等测试手段,探讨热压键合造成的应力损伤、GaN材料缺陷、LED内量子效率以及反向漏电间的内在联系,研究以键合引起的应力诱导垂直结构GaN基LED光电特性的退化机制,探讨应力损伤对垂直结构GaN基LED光电特性的影响。实验结果表明,热压键合过程会存GaN材料内产生GPa量级的残余应力,在量子限制strark效应作用下,GaN材料辐射复合效率发生明显退化:同时热压键合应力还会诱发GaN材料位错密度的增加,最终导致LED反向漏电增大。

摘要： 提出一种半导体激光二极管(100)，其具有：通过外延法制造的半导体层序列(2)，其具有至少一个有源层(3)，其中在所述半导体层序列(2)的至少一个表面区域(20)上设置有含镓的钝化层(10)。此外，提出一种用于制造半导体激光二极管(100)的方法。

摘要： 本发明提出了一种半导体发光二极管(10)，其具有：至少一个p掺杂的发光二极管层(4)、n掺杂的发光二极管层(2)以及在p掺杂的发光二极管层(4)和n掺杂的发光二极管层(2)之间的光学有源区(3)；由透明导电氧化物构成的氧化物层(8)；以及至少一个镜层(9)，其中氧化物层(8)设置在发光二极管层(2，4)和所述至少一个镜层(9)之间并且具有朝着发光二极管层(2，4)的第一界面(8a)和朝着所述至少一个镜层(9)的第二界面(8b)，并且其中氧化物层(8)的第二界面(8b)具有比氧化物层(8)的第一界面(8a)更小的粗糙度(R2)。

摘要： 本发明提供一种具有可提高偏光度的结构的氮化镓系半导体发光元件。发光二极管(11a)包括半导体区域(13)、InGaN层(15)及活性层(17)。半导体区域(13)具有表现出半极性的主面(13a)，且包含GaN或者AlGaN。半导体区域(13)的主面(13a)相对于与该主面(13a)的[0001]轴方向的基准轴Cx正交的平面Sc以角度α倾斜。半导体区域(13)的厚度D

摘要： 提出一种半导体激光二极管，其具有：半导体层序列(1)，所述半导体层序列具有竖直地上下重叠地施加的半导体层，所述半导体层具有有源层(11)，所述有源层在运行中经由辐射耦合输出面放射激光辐射，其中辐射耦合输出面由半导体层序列(1)的侧面形成；和横向地彼此相邻地在半导体层序列(1)的主表面(12)上的隔热层(2)和金属的接触层(5)，其中隔热层(2)由电绝缘的多孔材料(9)形成。由此，在运行中产生的热量经由p型电极(5)引向热沉(20)并且避免构成二维的温度梯度。因此，反作用于在边缘发射器中的热透镜。此外，提出一种用于制造半导体激光二极管和半导体激光二极管装置的方法。

摘要： 提出一种半导体激光二极管(100)，所述半导体激光二极管具有：沿竖直方向生长的半导体层序列(2)，所述半导体层序列具有有源层(3)，所述有源层设计和设置成在运行中在沿纵向方向(93)延伸的至少一个有源区域(5)中产生光(8)；以及所述半导体层序列上的透明导电的覆盖层(4)，其中所述半导体层序列在竖直方向(92)上以上侧(20)终止并且所述上侧具有在竖直方向上设置在所述有源区域上方的接触区域(21)和垂直于竖直方向和纵向方向的横向方向(91)上直接连接于接触区域的至少一个覆盖区域(22)，所述覆盖层连续地在所述上侧上施加在所述接触区域和所述至少一个覆盖区域上，所述覆盖层至少在所述至少一个覆盖区域中直接施加在所述半导体层序列的所述上侧上并且存在限定所述至少一个有源区域的至少一个元件(10)，所述至少一个元件由所述覆盖层遮盖。还提出一种用于制造半导体激光二极管的方法。

摘要： 本发明提供降低了激光振荡的阈值电流密度的二极管作为经由使用蚀刻技术形成谐振器端面的工序得到的法布里‑珀罗型的半导体激光二极管。一种半导体激光二极管的制造方法，包含在基板上形成多个半导体激光二极管后按各半导体激光二极管分割基板的工序，该制造方法具有在基板上形成层叠体的工序；对层叠体蚀刻而分成成为谐振区域的部分和除此以外的部分的工序；使成为第二电极的层在层叠体的第二半导体层之上形成到谐振区域的谐振器端面与分割的工序中进行分割的位置之间的电极层形成工序；以及在电极层形成工序后同时或连续进行成为第二电极的层的在比谐振器端面靠外侧的位置形成的部分的去除和谐振器端面的形成的蚀刻工序。

摘要： 提出一种半导体激光二极管(100)，其具有：通过外延法制造的半导体层序列(2)，其具有至少一个有源层(3)，其中在所述半导体层序列(2)的至少一个表面区域(20)上设置有含镓的钝化层(10)。此外，提出一种用于制造半导体激光二极管(100)的方法。

摘要： 本发明提出一种用于制造半导体激光二极管的方法，所述方法具有下述步骤：-在生长衬底(1)上外延地生长具有至少一个有源层(3)的半导体层序列(2)；-在半导体层序列(2)和生长衬底(1)上构成正面小面(5)，其中所述正面小面构建为具有用于在制成的半导体激光二极管中产生的激光(30)的光放射区域(6)的主放射面；-在正面小面(5)的第二部分(52)上构成耦合输出覆层(9)，其中第一部分(51)和第二部分(52)在平行于所述正面小面(5)的方向上并且沿着半导体层序列(2)的生长方向至少部分地彼此并排地设置，使得所述第一部分(51)至少部分地没有耦合输出覆层(9)并且第二部分(52)至少部分地没有光阻挡层(8)，并且其中第二部分(52)具有光出射区域(6)；-在正面小面(5)的第一部分(51)上构成光阻挡层(8)。此外提出一种半导体激光二极管。

摘要： 本发明涉及半导体二极管以及用于形成半导体二极管的方法。提供了一种半导体二极管。所述半导体二极管包括单晶硅半导体本体，所述单晶硅半导体本体包括：第一导电类型的第一半导体区，延伸至半导体本体的第一表面并具有第一最大掺杂浓度；以及第二导电类型的第二半导体区，与所述第一半导体区形成pn结。所述半导体二极管还包括：所述第一导电类型的多晶硅半导体区，具有比所述第一最大掺杂浓度更高的第二最大掺杂浓度并在所述第一表面上邻接所述第一半导体区；第一金属化部，布置在所述多晶硅半导体区上并与所述多晶半导体区电接触；以及边缘终止结构，被布置为紧接所述第一半导体区。此外，提供了一种用于生产半导体二极管的方法。

摘要： 介绍了一种半导体二极管，其包括半导体主体、包括由内部面和边缘面形成的第一主面，在该内部面上布置有第一接触层，并且包括从第一接触层到第二接触层的电流通路，该第二接触层布置在与第一主面相对的第二主面上，其中半导体二极管通过第一接触层或半导体主体的构造以如下方式组成：当电流流动通过所述电流通路时，形成部分电流通路，该部分电流通路具有每单位体积最大热量且以内部面的另外的部分面为出发点，其中该另外的部分面布置在内部面的内部部分面的边界的另一边，且布置为外部部分面的一部分，内部部分面优选地相对于与内部部分面邻接的外部部分面中心地布置，即围绕中轴线布置。