基于半导体物理的MOSFET亚阈区电流特性研究

高歌; 殷树娟; 于肇贤

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基于半导体物理的MOSFET亚阈区电流特性研究

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针对亚阈区导电问题,基于金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件结构,由半导体表面空间电荷区的不同物理状态出发,分析了能带及载流子浓度随偏置电压的变化情况,推导了亚阈区表面弱反型的条件及亚阈区导电电流模型,得到了定性描绘MOSFET亚阈区导电特性的曲线,结果表明亚阈状态的MOSFET在低电压、低功耗尤其在逻辑开关和存储器等大规模集成电路应用中十分适用.

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来源
《北京信息科技大学学报（自然科学版）》 |2019年第2期|19-22|共4页
作者
高歌; 殷树娟; 于肇贤;
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作者单位

北京信息科技大学理学院;

北京100192;

北京信息科技大学理学院;

北京100192;

北京信息科技大学理学院;

北京100192;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类场效应型;
关键词
金属氧化物半导体场效应晶体管; 空间电荷区; 亚阈值区; 电流模型;

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