基于HEMT的单片微波集成放大器设计

杨学斌; 吕善伟; 苏东林; 王良臣

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基于HEMT的单片微波集成放大器设计

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介绍了S波段单级单片微波集成放大器的设计方法,电路核心为高电子迁移率晶体管(High Electron Mobility Transistor, HEMT).针对在该波段高电子迁移率晶体管稳定性较差、噪声性能优秀的特点设计电路拓扑,在HEMT的输入端并联一个200Ω电阻,用HP-EESOF公司的Libra 2.1软件进行了小信号电路仿真与设计.仿真结果表明设计的放大器是绝对稳定的,在2～3GHz频带内增益为14.2dB,纹波小于0.4dB,噪声系数约2.7dB,满足实用要求.

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来源
《北京航空航天大学学报》 |2000年第3期|290-292|共3页
作者
杨学斌; 吕善伟; 苏东林; 王良臣;
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作者单位

北京航空航天大学,电子工程系;

北京航空航天大学,电子工程系;

北京航空航天大学,电子工程系;

中国科学院半导体研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类低噪声放大器;
关键词
微波晶体管放大器; 微波集成电路; 仿真; 高电子迁移率三极管;

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