硅中氢致缺陷和微缺陷氢沉淀的消除及其应用

陈燕生; 刘桂荣; 李怀祥

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硅中氢致缺陷和微缺陷氢沉淀的消除及其应用

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氢气氛下区熔拉制的鼓棱无位错硅单晶，原生晶体经化学腐蚀，观察不到缺陷，包括微缺陷。但当块状热处理后，经腐蚀常常观察到尺度ｍｍ数量级的氢致缺陷（　型缺陷、麻坑）和微缺陷氢沉淀。为了消除这些缺陷，原生单晶需片状供应，片厚应小于１ｍｍ，或中照后的区熔（氢）硅单晶，片状，９４０℃、０．５ｈ退火，均能消除之。在电力电子器件的应用中。

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来源
《工程科学学报》 |1996年第1期|50-54|共5页
作者
陈燕生; 刘桂荣; 李怀祥;
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作者单位

北京科技大学物理化学系;

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正文语种 chi
中图分类 O771;
关键词
硅; 单晶; 氢; 沉淀;

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