一种基于0.18μm SiGe工艺的8 GHz前置分频器

张红; 张振宁; 叶松

首页> 中文期刊> 《成都信息工程大学报》 >一种基于0.18μm SiGe工艺的8 GHz前置分频器

一种基于0.18μm SiGe工艺的8 GHz前置分频器

开具论文收录证明 >>

期刊封面封底目录下载 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

随着无线通信技术的高速发展,对高频率高带宽的频率源需求愈加迫切。在高频大带宽频率源中,高性能的分频器是一个重要的部分。为满足高频宽带通信的应用需求,设计实现了基于电流模逻辑结构的高频宽带除8/9、16/17前置分频器。通过分析CML锁存器工作原理与性能,设计了优化参数的集合与门的CML结构D触发器、双路选择器、逻辑或门结构,并基于该D触发器、选择器、或门设计了除8/9、16/17前置分频器。前置分频器使用0.18μm SiGe BiCMOS工艺流片并测试,测试结果表明,在3.3 V电源电压下,分频器工作频率可达20 MHz~8 GHz,带宽约8 GHz,功耗6.6 mW。与其他设计相比,设计的分频器功耗低同时还具有较高的工作频率和大的带宽。

著录项

来源
《成都信息工程大学报》 |2022年第4期|392-395|共4页
作者
张红; 张振宁; 叶松;
展开▼
作者单位

成都信息工程大学通信工程学院;

成都铱通科技有限公司;

展开▼
原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类分频器;
关键词
CML; 前置分频器; HBT; SIGE; BICMOS;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. 基于0.18μm SiGe BiCMOS工艺的带宽为2 GHz的高精度可变增益放大器 [J] . 谢江滨 ,秦希 ,方飞 . 复旦学报：自然科学版 . 2010,第6期
2. 基于0.18μm SiGe BiCMOS工艺的60GHz VCO分析与设计 [J] . 王东 ,吴玉平 ,陈岚 . 微电子学与计算机 . 2010,第10期
3. 一种1.8V 4.8GHz 0.9mW 0.18μm CMOS分频器 [J] . 雷牡敏 ,李永明 ,孙义和 . 微电子学 . 2007,第2期
4. 基于0.18μm CMOS工艺的ZigBee分频器设计 [J] . 蒋雪琴 . 现代电子技术 . 2015,第023期
5. 基于0.18μm SiGe BiCMOS工艺的高速比较器分析与设计 [J] . 陈天佐 ,吴玉平 ,陈岚 . 微电子学与计算机 . 2012,第7期
6. 12.5GHz基于SiGe工艺超低噪声混频器芯片设计 [C] . 汪金铭 ,韩磊 . 四川省电子学会半导体与集成技术专委会2006年度学术年会 . 2006
7. 0.18μm CMOS工艺双模分频器和5.8GHz低噪声放大器设计 [A] . 蒋东铭 . 2007

一种基于0.18μm SiGe工艺的8 GHz前置分频器

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅