TSV阵列的串扰耦合与布局结构分析

陈熠; 尚玉玲

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针对高密度TSV阵列中相邻TSV受耦合电容影响产生耦合噪声,使信号传输可靠性下降,基于TSV阵列,分析了TSV数量和位置变化对串扰耦合的影响.以3×3 TSV阵列为研究对象,提出了4种布局结构并进行仿真分析.实验结果表明:TSV阵列中的耦合电容不会随着数量的增加而线性增加,边缘相邻TSV间的耦合电容比中间相邻TSV间的耦合电容大40％;根据串扰耦合得到2种利于TSV阵列扩展的结构模型,其具有较好的传输性能.

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来源
《桂林电子科技大学学报》 |2020年第2期|125-129|共5页
作者
陈熠; 尚玉玲;
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作者单位

桂林电子科技大学电子工程与自动化学院广西桂林541004;

桂林电子科技大学电子工程与自动化学院广西桂林541004;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类微电子学、集成电路（IC）;
关键词
TSV阵列; 耦合电容; 布局结构;

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