基于MIS电容器的Al_(2)O_(3)与In_(0.74)Al_(0.26)As的界面特性

万露红; 邵秀梅; 李雪; 顾溢; 马英杰; 李淘

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采用In_(0.74)Al_(0.26)As/In_(0.74)Ga_(0.26)As/In_(x)Al_(1-x)As异质结构多层半导体作为半导体层,制备了金属-绝缘体-半导体(MIS)电容器。其中,SiN_(x)和SiN_(x)/Al_(2)O_(3)分别作为MIS电容器的绝缘层。高分辨率透射电子显微镜和X射线光电子能谱的测试结果表明,与通过电感耦合等离子体化学气相沉积生长的SiN_(x)相比,通过原子层沉积生长的Al_(2)O_(3)可以有效地抑制Al_(2)O_(3)和In_(0.74)Al_(0.26)As界面的In2O3的含量。根据MIS电容器的电容-电压测量结果,计算得到SiN_(x)/Al_(2)O_(3)/In_(0.74)Al_(0.26)As的快界面态密度比SiN_(x)/In_(0.74)Al_(0.26)As的快界面态密度低一个数量级。因此,采用原子层沉积生长的Al_(2)O_(3)作为钝化膜可以有效地降低Al_(2)O_(3)和In_(0.74)Al_(0.26)As之间的快界面态密度,从而降低In_(0.74)Ga_(0.26)As探测器的暗电流。

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来源
《红外与毫米波学报》 |2022年第2期|384-388|共5页
作者
万露红; 邵秀梅; 李雪; 顾溢; 马英杰; 李淘;
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作者单位

中国科学院上海技术物理研究所传感器技术国家重点实验室;

中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室;

中国科学院大学;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类计算技术、计算机技术;
关键词
INALAS; 原子层沉积; Al_(2)O_(3); SiN_(x)金属-绝缘体-半导体电容器; 界面态密度;

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