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Si衬底AlGaN/GaN MIS-HEMT中SiNx钝化应力与界面缺陷特性关系研究

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SiNx作为一种常见的绝缘材料,常作为AlGaN/GaN MIS-HEMTs的栅介质以及钝化层.LPCVD(Low Pressure Chemical Vapor Deposition)生长的SiNx的表面钝化效果好,并且钝化后器件夹断态漏电小,但是由于该工艺过程为高温工艺,无法带金属生长,不能作为后续的钝化工艺.ICPCVD SiNx钝化后的AIGaN/GaN MIS-HEMT器件，其栅边缘处的AIGaN/GaN界面会在钝化层应力作用下产生缺陷，该缺陷产生的陷阱能级在器件完全开启后充电，使沟道电子受到的库伦散射加剧，沟道迁移率剧烈降低从而导致跨导的剧烈下降。而C-V测试中栅扫描电压耗尽2DEG时，该陷阱能级的充放电导致栅长较小的器件在低频信号下测得的电容值出现剧烈变化，从而在低频C-V曲线上形成尖峰。不同频率下的C-V曲线表明该陷阱的时间常数高于μs量级。

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来源
《第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议》|2015年|114-115|共2页
会议地点苏州
作者
白智元; 杜江锋; 刘勇; 于奇;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN323.4;
关键词
高电子迁移率晶体管; 氮化铝镓; 氮化镓; 钝化应力; 界面缺陷特性;

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