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任元; 赵玲玲; 刘学杰; 谭心; 孙士阳;
内蒙古科技大学机械工程学院,内蒙古包头014010;
Ti族、V族氮化物; 晶体结构; 第一性原理研究;
机译:六方晶系Ⅲ族氮化物单层中的点缺陷和组成:第一性原理计算
机译:贵金属氮化物和碳化物族的第一性原理计算
机译:V族过渡金属氮化物与bcc铁之间相干界面能的第一性原理计算
机译:外延和封装诱导应变对Ⅲ族氮化物LED芯片发射特性影响的基于第一性原理的建模
机译:超临界氨-钠溶液中III族氮化物晶体的生长
机译:使用薄Ti夹层在非晶态石英上直接生长基于III族氮化物纳米线的黄色发光二极管
机译:分数幂律行为及其在铁硫族化合物和硫族化合物中的起源 钌酸盐超导体:第一性原理计算的见解
机译:最终的LDRD报告:使用3D光子晶体腔增强可见III族氮化物LED的自发发射率
机译:制造第13族氮化物晶体,第13族氮化物晶体的方法,制造第13族氮化物晶体基体和第13族氮化物晶体基体的方法
机译:获得的III族氮化物晶体的制造方法,使用该III族氮化物晶体和III族氮化物基板的III族氮化物晶体。
机译:制造同一族获得的第三族元素的氮化物晶体,第三族元素的氮化物晶体以及通过使用该第三族元素的氮化物晶体获得的方法
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