氢氧化钴修饰玻碳电极的制备及其电化学行为

刘有芹; 刘六战; 沈含熙

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氢氧化钴修饰玻碳电极的制备及其电化学行为

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采用循环伏安法成功制备了氢氧化钴薄膜修饰玻碳电极.考察了影响膜电沉积的因素,确定成膜液最佳pH为7.5,最佳扫描电位范围为1.00～-0.20 V.讨论了成膜过程及机理,成膜关键是Co2+在电极表面的氧化.制得的膜修饰电极具有表面吸附反应特征,表面覆盖量相当于5～6个单层的氧化还原活性物质.膜修饰电极具有良好的稳定性,并对H2O2表现出较高的电催化活性.线性回归方程为:△Ipa(μA)=15.92+4.99×104c(H2O2)(mol·L-1)(r=0.997 6,n=18),线性范围为1.72×10-5～9.92×10-3mol·L-1,检出限为4.25×10-6mol·L-1(S/N=3).

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来源
《分析测试学报》 |2004年第6期|9-13|共5页
作者
刘有芹; 刘六战; 沈含熙;
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作者单位

华南农业大学,理学院,应用化学系,广东,广州,510642;

南开大学,化学系,天津,300071;

南开大学,化学系,天津,300071;

南开大学,化学系,天津,300071;

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正文语种 chi
中图分类电势分析法和离子选择性电极分析法;
关键词
氢氧化钴; 玻碳电极; 循环伏安法; 电催化;

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