首页> 中文期刊> 《辽宁大学学报：自然科学版》 >条形栅VDMOS特征导通电阻的物理模型

条形栅VDMOS特征导通电阻的物理模型

开具论文收录证明 >>

期刊封面封底目录下载 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

详细地介绍了一种新型实用的VDMOSET特征导通电阻的物理解析模型.该模型不仅物理概念清晰,有利于定型指导器件的研制和生产,而且简单、实用.

著录项

来源
《辽宁大学学报：自然科学版》 |2008年第3期|197-199|共3页
作者
张俊松; 高越; 钟玲; 石广源;
展开▼
作者单位

辽宁大学物理学院;

沈阳炮兵学院地方教育部;

展开▼
原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类结构、器件;
关键词
VDMOSFET; 条形栅; 特征导通电阻; 物理模型;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. 条形栅VUMOSFET特征导通电阻的物理模型 [J] . 石广源 ,王新 ,孙永斌 . 微电子学 . 2009,第6期
2. VDMOSFET特征导通电阻实用物理模型 [J] . 季春霖 . 辽宁大学学报（自然科学版） . 2004,第004期
3. 低压VDMOSFET特征导通电阻的研究 [J] . 霍东权 ,格日乐图 ,杨建华 . 内蒙古民族大学学报（自然科学版） . 2004,第004期
4. VDMOSFET特征导通电阻的数学模型 [J] . 高嵩 ,石广源 ,王中文 . 微电子学与计算机 . 2004,第7期
5. VDMOSFET的Tox与特征导通电阻RonA的关系 [J] . 王中文 ,高嵩 ,石广源 . 辽宁大学学报（自然科学版） . 2003,第001期
6. 条形单胞VDMOSFET特征导通电阻的物理模型 [C] . 宋文斌 ,韩郑生 ,石广源 . 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会 . 2005
7. 600V高压VDMOS器件导通电阻仿真优化设计 [A] . 王泗禹 . 2010

获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

客服微信
服务号