衬底温度对a-Si1-xCx:H薄膜成分的影响

田帅; 简红彬

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衬底温度对a-Si1-xCx:H薄膜成分的影响

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采用热壁低压化学气相沉积(LPCVD)技术,在Si(100)衬底上成功制备出了具有化学计量的氢化非晶碳化硅(a-Si1-xCx∶H)薄膜,并用傅里叶变换红外光谱仪和X射线光电子能谱仪对薄膜成分进行了分析,探讨了衬底温度对a-Si1-xCx∶H薄膜成分的影响,结果发现随着衬底温度升高,CH4分解效率得到提高,过量的C形成了C-C键.

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来源
《鲁东大学学报（自然科学版）》 |2011年第3期|229-231|共3页
作者
田帅; 简红彬;
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作者单位

天津电子信息职业技术学院,天津300350;

天津三美电机有限公司,天津300163;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类薄膜物理学;
关键词
热壁LPCVD; a-Si1-xCx∶H薄膜; 衬底温度; 薄膜成分;

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