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多孔硅电学特性研究

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摘要

采用双槽电化学腐蚀法制备多孔硅材料,形成了Pt/多也硅/P+型单晶硅/多孔硅/Pt的样品微结构.主要研究了腐蚀条件及氧化后处理对这一微结构横向I-V特性的影响.结果表明该微结构横向I-V特性主要由多孔硅层的电学特性所决定,呈现出非整流的欧姆接触特性.

著录项

来源
《材料工程》 |2008年第2期|9-1317|共6页
作者
房振乾; 胡明; 刘博; 宋阳;
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作者单位

天津大学,电子信息工程学院,天津,300072;

天津大学,电子信息工程学院,天津,300072;

天津大学,电子信息工程学院,天津,300072;

天津大学,电子信息工程学院,天津,300072;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类半导体性质;
关键词
多孔硅; 双槽电化学腐蚀法; I-V特性; 欧姆接触;

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