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硅上AlxGa1-xN背势垒层HEMT电学特性研究

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相比于传统硅器件,基于氮化镓(GaN)材料的高电子迁移率晶体管(HEMT)有更大的击穿场强、更快的电子饱和速度和更高的允许工作温度.AlGaN/GaN异质结因其极化场的不连续性,在异质结界面处AlGaN侧产生高浓度的正的极化电荷,进而在界面处GaN侧诱导出高浓度的电子,形成二维电子气(2DEG).为了提高2DEG限域效应以及降低器件关态漏电,通常可以采用AlGaN/AlN/GaN/AlxGa1-N背势垒层HEMT外延结构.

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来源
《第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议》|2015年|116-117|共2页
会议地点苏州
作者
李水明; 周宇; 孙钱; 张宝顺; 刘胜; 杨辉;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN323.4;
关键词
高电子迁移率晶体管; 氮化铝镓; 氮化镓; 异质结; 背势垒层; 电学特性;

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