AlGaN バックバリアを有するSi 基板上GaN HEMT の電気特性

机译：具有AlGaN背势垒的Si衬底上的GaN HEMT的电学特性

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Si 基板上GaN HEMT は、5G およびbeyond 5G の無線通信用アンプとしての応用が期待されるが、その高周波特性はSiC 基板上のGaN HEMT には劣っており、デバイスサイズ縮小による高周波特性の向上が急務である。ゲートスケーリングに伴う短チャネル効果を抑制する手法として、バリアおよびチャネルの薄層化とバックバリア(BB)の導入が挙げられる。したがってSi 基板上に形成したGaN HEMT に対しても、バックバリア導入による結晶品質への影響とそれらがデバイス特性に及ぼす影響を調査する必要がある。本報告ではSi 基板上に作製したGaN HEMTへのAlGaN バックバリアの挿入効果について報告する。

机译：Si衬底上的GaN HEMT具有5G和5G无线通信放大器以外的应用。不出所料，其高频特性不如SiC衬底上的GaN HEMT，从而减小了器件尺寸。迫切需要改善高频特性。抑制与门缩放相关的短通道效应的手方法包括减薄屏障和通道并引入后屏障（BBs）。所以即使对于在硅衬底上形成的GaN HEMT，引入背垒对晶体质量的影响及其影响需要研究其对器件特性的影响。在本报告中，在硅衬底上制造的GaN HEMT 我们报告了将AlGaN背势垒插入其中的效果。

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来源
《応用物理学会秋季学術講演会;応用物理学会》|2019年|12.194|共1页
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星拓也; 吉屋佑樹; 杉山弘樹; 中島史人; 松崎秀昭;
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