C/SiC陶瓷基复合材料表面Si/SiC涂层制备

张玉娣; 张长瑞; 李俊生

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C/SiC陶瓷基复合材料表面Si/SiC涂层制备

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采用新的泥浆预涂层-反应烧结工艺在C/SiC复合材料表面制备Si/SiC致密涂层,重点研究了原材料、工艺条件对涂层性能的影响;采用XRD分析涂层的组分及晶体结构,采用SEM分析涂层的断口形貌.结果显示,采用MC为胶粘剂、较低的裂解升温速度制备的预涂层性能最好;无Si气氛存在直接高温烧结制备涂层性能差,而在真空环境下、1450～1600℃温度范围高温烧结能够制备出致密的Si/SiC涂层,Si气氛的大量存在是决定涂层性能的关键.

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来源
《材料工程》|2004年第10期|29-3135|共4页
作者
张玉娣; 张长瑞; 李俊生;
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作者单位

国防科技大学航天与材料工程学院先进陶瓷纤维及其复合材料重点实验室,长沙,410073;

国防科技大学航天与材料工程学院先进陶瓷纤维及其复合材料重点实验室,长沙,410073;

国防科技大学航天与材料工程学院先进陶瓷纤维及其复合材料重点实验室,长沙,410073;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TB323;
关键词
C/SiC陶瓷基复合材料; 预涂层; 反应烧结; Si/SiC涂层;

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