GaP薄膜的制备与性能研究

宋建全; 刘正堂; 郭大刚; 耿东生; 郑修麟

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GaP薄膜的制备与性能研究

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利用磁控溅射法成功地制备出GaP薄膜,并对GaP薄膜的沉积速率、成分、结构及红外光学性能进行了研究.结果表明,沉积薄膜中Ga与P的原子比接近1:1,形成了GaP化合物,呈非晶态结构.设计并制备出GaP/DLC复合膜系,结果表明该膜系在8～11.5μm波段对ZnS衬底具有明显的增透效果.制备的GaP薄膜的硬度明显高于ZnS衬底的硬度,且与ZnS衬底结合牢固,可提供良好的保护性能.

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来源
《材料工程》 |2001年第10期|27-30|共4页
作者
宋建全; 刘正堂; 郭大刚; 耿东生; 郑修麟;
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作者单位

西北工业大学,;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类红外光学材料;
关键词
GaP薄膜; 射频磁控溅射; 增透保护膜系;

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