具有线性掺杂PN型降场层的新型槽栅LDMOS

姚佳飞; 张泽平; 郭宇锋; 杨可萌; 张振宇; 邓钰

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具有线性掺杂PN型降场层的新型槽栅LDMOS

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文中提出了一种具有线性掺杂PN型降场层的槽栅LDMOS器件(LDPN TG-LDMOS),以期获得较高的击穿电压和较低的导通电阻。线性掺杂PN型降场层能够优化器件的表面电场并降低结处的电场峰值,从而提高器件的击穿电压。同时,线性掺杂PN型降场层对N型漂移区的辅助耗尽作用能够提高器件的漂移区掺杂浓度,从而降低导通电阻。仿真结果表明,与常规的槽栅LDMOS相比,具有线性掺杂PN型降场层的槽栅LDMOS器件的击穿电压提高了28%,导通电阻降低了50%。

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来源
《南京邮电大学学报：自然科学版》 |2019年第6期|22-27|共6页
作者
姚佳飞; 张泽平; 郭宇锋; 杨可萌; 张振宇; 邓钰;
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作者单位

南京邮电大学电子与光学工程学院;

江苏南京210023;

南京邮电大学射频集成与微组装国家地方联合工程实验室;

江苏南京210023;

南京邮电大学贝尔英才学院;

江苏南京210023;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类金属-氧化物-半导体（MOS）器件;
关键词
线性掺杂; 击穿电压; 导通电阻; 槽栅; LDMOS;

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