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张开彪; 马书懿; 陈海霞; 马自军;
西北师范大学,物理与电子工程学院,甘肃,兰州,730070;
纳米硅; 异质结; C-V特性; 禁带宽度;
机译:纳米级电容和电容电压曲线,用于使用扫描微波阻抗显微镜(SMIM)的硅和GaN结构的电气性能的高级表征
机译:描述在氧化物载体的硅纳米粒子的MOS电容器的电容-电压特性的累积分支中观察到的峰状特征的模型
机译:P型硅/固有硅/ n型半导体铁二硅化铁异质结构的光伏,电容电压,电导电压和电阻抗特性通过面向目标直流溅射构建
机译:C-V匹配法测定氢化纳米晶硅/晶体硅杂硅杂硅杂硅杂硅杂硅杂硅杂硅杂硅杂硅杂硅杂硅杂硅杂硅杂硅杂硅杂硅杂硅杂阳硅杂硅杂硅杂差二极管的偏移密度
机译:电化学电容-电压谱法测定氮化镓/氮化镓铝纳米结构中的载流子浓度
机译:高阶模振动的电容硅纳米机械谐振器的设计与制作
机译:超大规模集成金属氧化物半导体栅氧化物应用中金属Ta2O5硅电容器的电容电压特性研究
机译:半导体测量技术:用于测量硅中注入深度分布的肖特基势垒二极管的差分电容 - 电压分布
机译:硅纳米晶体的制造方法,硅纳米晶体,浮栅型存储电容器结构的制造方法以及浮栅型存储电容器结构
机译:III-V沟道组成和宽禁带宽度的纳米级FET
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