首页> 中文期刊>西北师范大学学报(自然科学版) >电容-电压法测定纳米硅的禁带宽度

电容-电压法测定纳米硅的禁带宽度

     

摘要

在p型单晶硅衬底上沉积1层n型纳米硅薄膜制成nc-Si/c-Si异质结二极管,测量了异质结的C-V特性.根据C-V实验曲线,计算出异质结的接触电势差,再用接触电势差计算了导带的偏移量,进而求得禁带宽度.计算结果与其他文献报道的结果符合得很好.

著录项

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号