禁带宽度

摘要： 阐述了铜冶炼渣区别于铜原矿的特殊性质及当前铜渣浮选的问题,重点介绍了固体物理学中的能带理论体系为解决铜渣浮选问题提供的新思路。介绍了半导体的能带结构及检测手段;并由铜渣中常见4种硫化铜矿物黄铜矿、辉铜矿、铜蓝、斑铜矿的能带结构分析其电化学性质,由他们的电子态密度预测其浮选行为,发现辉铜矿中的铜原子具有最高的反应活性。通过捕收剂和各种矿物的静电位与费米能级推断它们相互作用后的产物,利用NPA电荷等分析证明了产物黄原酸盐反应活性优于双黄药,符合红外光谱等试验的结果。能带理论体系下的电子态密度、禁带宽度、费米能级、电荷布居数等体相性质参数能有效解释矿物的可浮性,以此可额外作为药剂与矿物作用效果的有力判据,从而使传统矿物基因数据库更为完备。离子型捕收剂的前线分子轨道与矿物的边缘能级之间有着密切的电子转移,根据前线轨道的形状与能量值比较同类药剂间捕收能力的大小;利用密度泛函法分析药剂对铁和铜的选择性差异的机理,以此筛选出高选择性与高捕收能力的基团,设计并优化新型捕收剂的构型。讨论了能带理论应用于铜渣浮选研究中的后续方向,致力于将更精确的能带检测方法与更高效的软件计算模拟相结合。

摘要： 采用水热法制备了不同含量的铝(Al)单元掺杂及铝(Al)、钼(Mo)共掺杂氧化锌(AZO、AZMO)纳米粉体,利用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、高分辨透射电镜(HRTEM)、荧光分光光度计(PL)、紫外分光光度计(UV-vis)、TG-DTA差热分析、激光粒度分析仪、四探针电阻测试仪等测试手段,探究了Al单元掺杂和Al、Mo共掺对AZO、AZMO粉体结构、形貌及光电性能的影响。结果表明:所制备的AZO和AZMO纳米粉体为结晶度良好的六方纤锌矿结构。Al、Mo掺杂浓度影响纳米氧化锌粉体形貌、晶体结构及光电性能。随着Al、Mo掺杂浓度的增加,粉体的结晶质量降低,晶粒尺寸先减小后增大,光电性能先变好后变差。适度的Al、Mo共掺杂可使氧化锌禁带宽度和电阻率达到最优匹配,改善氧化锌的近紫外发光和蓝色发光特性。在掺杂浓度为m(Al)∶m(Mo)=1∶3时,纳米粉体的综合光电性能最佳,禁带宽度为3.392 eV,电阻率为20.3Ω·m,紫外发光峰强度最大,且出现了蓝移。

摘要： 为提高电池稳定性及转换效率,设计结构为Au/HTL/CsPb(I_(1-x)Br_(x)_(3)/TiO_(2)/FTO的钙钛矿太阳能电池,探讨不同空穴传输层材料、吸收层禁带宽度、厚度及缺陷态密度对电池性能的影响。结果表明:以CuSCN作为空穴传输层时电池输出更佳性能;增大吸收层带隙导致吸收效率下降,降低了短路电流密度而使效率减小;增加吸收层厚度可促进器件对光子的有效吸收,但当吸收层厚度大于载流子扩散距离时,导致复合增加,器件性能有所下降;吸收层缺陷态的增多,导致载流子复合增强,限制了载流子的有效收集。优化后电池性能得到提升:开路电压为1.31 V,短路电流密度为19.27 mA/cm^(2),填充因子为83.71%,转换效率为21.14%,为实验上制备稳定、高效的新型钙钛矿太阳能电池提供理论指导。

摘要： 通过变温霍尔效应实验,在77~420K温度范围内对N型Ge标准样品的电学特性进行测量.根据对高温本征导电区斜率的计算,得到样品禁带宽度E_(g);对低温杂质电离区斜率的计算,得到样品杂质电离能E_(i).对计算结果进行比较,■及■曲线更适合用于计算禁带宽度;降温的■曲线更适合用于计算杂质电离能.

摘要： 铁原子掺入氧化锌可大幅增加其光催化性能从而提高了除污能力.该文通过行星球磨结合高温固溶掺杂的方法制备Zn_(1-x)Fe_(x)O材料.通过紫外分光光度计,X射线粉末衍射实验和键弛豫理论,定量分析了Fe^(3+)掺杂对Zn-O键弛豫动力学及其光催化效率的影响.研究表明:当Fe^(3+)掺杂浓度为10%时,1 g Zn_(1-x)Fe_(x)O材料在2.5 h内,光降解亚甲基蓝可达到66%,比纯ZnO高出52%;掺杂浓度在10%以内时,Zn_(1-x)Fe_(x)O材料中Zn-O键的单键能和禁带宽度均随着Fe^(3+)掺杂浓度的增加而减小;定量获取了不同浓度下Zn-O键的配位数、单键能和禁带宽度.为Zn_(1-x)Fe_(x)O材料的制备及其光催化性能的定量研究提供了一种简单、易控且低成本的新方法.

摘要： 通过甘氨酸-硝酸燃烧法双掺杂制备Ce0.8Gd0.95M0.05 O1.9(M=Er3+,Dy3+,Eu3+)(CGMO)固体电解质.利用紫外可见分光光度计和分子荧光光度仪对3种掺杂不同稀土离子在不同烧结温度下得到的CGMO进行光学性能测试,并监测不同烧结温度下CGMO晶界的变化规律.测试结果表明,CGMO均在1673 K时结晶程度最好,光子和电子传导能力最优.对比SEM形貌,Ce0.8 Gd0.95 Dy0.05 O1.9电解质具有灵敏度高且可行性强的优势,对于改善GDC烧结条件有一定的指导意义.

摘要： 金属氧化物是由金属阳离子和氧阴离子通过离子键合排布成不同晶体结构的一类离子型化合物.部分金属氧化物的d壳没有被完全填充,使它们具有各种独特的性能,如宽的能带间隙、高的介电常数、活跃的电子转移能力以及优异的导电性等,因此在催化领域得到了广泛应用.本文介绍了单一金属氧化物、复合金属氧化物、掺杂金属氧化物和负载型金属氧化物四类半导体材料催化高氯酸铵热分解的研究现状,探讨了催化机理和影响催化效果的因素,分析得出P型金属氧化物半导体材料的禁带宽度越小,费米能级降低,逸出能越大,催化作用明显;对于N型来说,禁带宽度越大,费米能级升高,逸出能越小,催化效果越好.为了充分利用金属氧化物的优点克服其缺陷,常在金属氧化物中引入杂元素形成离子晶格缺陷和制造新的局部杂质能级以改变电子的跃迁,从而提高金属氧化物的催化性能.不论是复合金属氧化物,还是负载型金属氧化物,均存在对高氯酸铵的正协同催化效应.开发禁带宽度小的多孔纳米管P型金属氧化物、掺杂型金属氧化物和负载型金属氧化物材料仍是人们关注的重点.探索以高氯酸铵为基的核壳型复合材料、P-N结金属氧化物半导体催化材料以及探究载流子在两种半导体P-N界面间的迁移规律,有望成为提高催化效率的新途径.

摘要： 优良的室内空气环境对保障居住者健康和舒适性具有重要意义.纳米TiO2和硅藻土等复合可产生协同效应,有望同时起到降解甲醛和调湿作用.通过小室试验研究了TiO2/硅藻土/泥炭藓复合光催化调湿材料对室内甲醛降解和温湿度调节的效果,结果表明该材料可以有效降解甲醛并调节温湿度.通过XRD、SEM、紫外-可见光吸光度及FTIR分析等手段,研究了TiO2/硅藻土/泥炭藓复合光催化调湿材料降解甲醛及调温调湿机制.研究结果表明:在自然光照下,TG-1:7材料能将小室内甲醛浓度控制在0.06 mg/m3以内,甲醛去除率达89.1％;TG-1:7材料能有效地将小室内相对湿度控制在58％RH左右,且能在一定程度上调节室内温度.硅藻土负载纳米TiO2可以改善半导体光生电子(e-)和光生空穴(h+)的分离,减小h+与e-重新组合的速率,且其禁带宽度也有所变窄.光催化调湿材料表面大量的硅羟基可产生更多的布朗斯台德酸性位点,能有效捕获h+并产生羟基自由基(·OH),增强TiO2的光催化活性.

摘要： 通过甘氨酸-硝酸燃烧法双掺杂制备Ce0.8Gd0.95M0.05O1.9(M=Er^3+,Dy^3+,Eu^3+)(CGMO)固体电解质。利用紫外可见分光光度计和分子荧光光度仪对3种掺杂不同稀土离子在不同烧结温度下得到的CGMO进行光学性能测试,并监测不同烧结温度下CGMO晶界的变化规律。测试结果表明,CGMO均在1673K时结晶程度最好,光子和电子传导能力最优。对比SEM形貌,Ce0.8Gd0.95Dy0.05O1.9电解质具有灵敏度高且可行性强的优势,对于改善GDC烧结条件有一定的指导意义。

摘要： 本文基于大气气氛下快速热解的溶胶-凝胶旋涂法,研究了前驱体溶液中S含量对制备的Sn-S化合物薄膜物相、形貌与光学性能的影响。结果表明,薄膜的物相受到薄膜中S含量的严重影响。即,当薄膜中S含量较低时,其中是SnS_(2)和Sn_(2)S_(3)的混合物相,而S含量较高时则是SnS_(2)和SnS的混合物相。文中还尝试性探讨了所制备薄膜的物相形成机制。另外,薄膜的物相组成又进一步影响了薄膜的形貌状态和禁带宽度。此外,样品在450°C的退火处理对于薄膜的物相和禁带宽度有一定影响,但对薄膜形貌的影响非常有限。

摘要： 地表广泛存在的半导体矿物受到能量大于或等于其禁带宽度的自然光照射时,会激发半导体产生光生导带电子和价带空穴.在铀矿区环境中,辐照射线和半导体矿物是客观、长期共存的.受半导体矿物光生电子的启发,聚焦目前广泛研究的耐酸碱腐蚀性、耐化学腐蚀性、稳定性好、成本低和无毒的光催化剂二氧化钛,考察Gamma射线不同辐照剂量对二氧化钛结构、禁带宽度及光电活性的影响,以期为后续开展辐照环境下半导体矿物对变价重金属及放射性核素的价态调控研究提供参考.

摘要： 本文研究了顶栅自对准ZTO-TFT的工艺对溅射不同Ar∶O2的ZTO薄膜特性的影响,并阐述其机理.随着溅射时Ar∶O2的降低,ZTO薄膜的载流子浓度先增大后减小,但是迁移率逐渐增大,这与浅施主能级缺陷和深能级缺陷的含量有关.当Ar∶O2为50∶0时,N2O-plasma处理240s后,薄膜内的体载流子浓度增加,与渗透导电机理相矛盾.在不同溅射Ar∶O2的薄膜上生长SiO2栅介质,随着薄膜内氧含量的增加,载流子浓度先增大后不变.源漏开孔时存在过刻蚀,过刻蚀15s会使载流子浓度增加,但是迁移率却下降.但是在降低源漏电阻的Ar-plasma处理中,薄膜的迁移率提高,然而载流子浓度的变化与溅射时Ar∶O2有关.高温退火处理后,载流子浓度减小且电阻率和禁带宽度增大,然而迁移率的变化与溅射时Ar∶O2有关.

摘要： 前表面n型非晶硅的厚度对电池性能有影响;前表面掺杂非晶硅的禁带宽度影响到输运;当n型非晶硅厚度为5nm，能带宽度大于1.92eV时，模拟得到电池的效率大于25%。在前表面结构优化的情况下，利用硬掩膜技术进行了SHJ-IBC电池的制备，最终得到了19.8%的电池转换效率。

摘要： 氧化锌以其较大的禁带宽度(室温下3.37eV）和高达60meV的激子结合能,使其在紫外乃至深紫外波段有着广阔的应用前景.于此同时,近年来,由于ZnO具有较大的光学声子能量(72meV)这一特性,使得其在实现室温太赫兹光源及探测方面也成为了一个极具潜力的候选材料体系.值得注意的是,无论是实现超低阈值紫外激光器件还是室温太赫兹器件,都离不开对有源层的调控.这其中量子阱结构便是最为重要的一环.

摘要： 采用溶胶-凝胶(sol-gel)法,以柠檬酸为络合剂,利用硝酸盐合成制备了(Ca,Cr)共掺YAG陶瓷粉末,极大的降低了合成温度.研究了Ca2+、Cr3+离子共掺杂对YAG样品红外辐射性能的影响.红外性能测试结果表明:掺杂前后样品0.75～2.5μm波段的红外吸收率由0.27提升至0.90,较掺杂之前提高了2.3倍.通过对紫外-可见波段的吸光度图谱的计算发现,(Ca,Cr)共掺使得YAG陶瓷样品的禁带宽度为2.76eV,相比掺杂前下降了1.95eV,使得自由载流子吸收得以强化,这可能是(Ca,Cr)共掺YAG陶瓷在近红外波段具有高发射率的主要原因.

摘要： 利用射频磁控溅射技术,在室温下用TiO2陶瓷靶在玻璃基底上制备N掺杂TiO2薄膜.利用X射线衍射、扫描电子显微镜、X射线光电子能谱仪和紫外可见光分光光度计研究了不同退火条件对薄膜的微观结构和光学性能的影响.实验结果表明:真空退火后的薄膜结晶性能均较差,随着退火温度的升高,薄膜表面的缺陷增加,薄膜内部的N含量均减少,禁带宽度从2.83eV增加到3.21eV;常压条件下退火,薄膜的结晶性变优,晶粒变大,薄膜内部N含量减少,禁带宽度增加到2.93eV.

摘要： 介绍了能带结构研究，电池性能分析，CdTe薄膜太阳电池特点理想的光伏材料:直接带隙半导体,禁带宽度为1.45eV,禁带宽度匹配太阳光谱。

摘要： 本文以CH3NH3Pbl3结构为基础，以CH3NH3Pbl3的结构参数为参考值，进行计算分析得出结论：A位有机小分子的尺寸变化会对晶体结构的稳定性和禁带宽度产生明显的影响。随着小分子基团尺寸的增加，钙钛矿型材料的结构趋于稳定，禁带宽度也有所增大。将A位替换为Cs+离子也能调整晶体，接近于理论上最优禁带宽度值。X位的卤素位取代中，根据对不同比例的卤素掺杂的计算结果的比较研究，用Cl-、Br-离子取代I-，降低了晶体材料的内聚能，钙钛矿材料的禁带宽度倾向于增大。

摘要： 利用晶体结构能带理论分析、获得了不同热应力状态下闪锌矿结构碲镉汞材料禁带宽度的变化规律,同时通过实验测试得到了不同热应力状态下Si基碲镉汞材料的禁带宽度和器件响应光谱,结合有限元分析软件并利用应力能带理论对实验结果进行了合理分析,发现:相对于零压力碲镉汞材料而言,碲镉汞材料受到张应力时,材料的禁带宽度变小;受到压应力时,材料的禁带宽度增大;通过改变材料禁带宽度对响应光谱有一定调制作用.这些结果可为器件结构合理设计、改善碲镉汞焦平面响应均匀性提供参考.

摘要： 近年来随着太赫兹科学技术的迅猛发展,对以波导为代表的功能器件的研究就成为了该领域研究的重点和热点.针对太赫兹波导的研究现状,本文提出了两种新型的太赫兹波导:基于表面等离子体激元的介质填充双平板金属波导和基于类表面等离子体激元的亚波长矩形金属阵列波导.分析了这两种表面等离子体激元波导存在的传播模式,经过研究发现相对于平板金属波导,亚波长矩形金属阵列波导存在太赫兹传输禁带,并且减小金属周期阵列与金属平板的距离这一禁带宽度有增大的趋势.增大双平板金属波导填充介质的介电常数或减小两金属平板的距离能够减弱高阶波导模式的色散.本文对以表面等离子体激元为基础的新型波导的研究将会为太赫兹波导的研究与发展提供新的思路.

摘要： 本发明公开了一种禁带宽度可缩小的氧化亚铜薄膜的制备方法，包括：(a)依次采用无水乙醇、丙酮清洗ITO衬底，后用二次纯水洗净，在室温环境下用氮气吹干；(b)称量CuSO

摘要： 本发明涉及一种快速预测高分子禁带宽度的方法，基于第一性原理结合支持向量机，包括以下步骤：从文献中查找高分子的结构和禁带宽度的实验值；用不同的第一性原理方法进行禁带宽度计算，选出最优方法；从文献中查找重复单元由4个模块高分子结构并优化；计算4模块高分子的禁带宽度；用Dragon软件生成描述符，将数据分为建模集和测试集；用最大相关最小冗余算法进行变量筛选，并用支持向量机建立模型；根据建立的模型快速预报待检测高分子的禁带宽度。本发明基于可靠的文献数据和建模方法，所建高分子禁带宽度的预报模型具有简便快捷、低成本、无污染等优点。

摘要： 本发明涉及一种禁带宽度可调的铬掺杂锡酸钡纳米粉体及制备方法，所述铬掺杂锡酸钡纳米粉体的化学组成为BaSn1‑xCrxO3，其中0＜x≤0.5，所述铬掺杂调整粉体禁带宽度。

摘要： 本发明公开了一种一定禁带宽度硒化亚锗薄膜的制备方法。所述硒化亚锗薄膜的禁带宽度为1.14～1.79eV。该方法采用近空间升华法，包括制备非晶硒化亚锗薄膜和非晶硒化亚锗薄膜退火两个步骤。所述硒化亚锗薄膜可用于构建叠层硒化亚锗薄膜太阳能电池，以提高硒化亚锗薄膜太阳能电池的光电转换效率。

摘要： 本发明提供一种变禁带宽度的超结VDMOS器件，包括金属化漏电极、第一导电类型半导体掺杂衬底、第一导电类型掺杂区、第二导电类型半导体掺杂柱区、多晶硅栅电极、栅介质层、金属化源电极；本发明在常规超结VDMOS器件的第二导电类型掺杂柱区侧面引入采用窄禁带半导体材料的窄禁带第一导电类型掺杂区，并在第一导电类型掺杂区和窄禁带第一导电类型掺杂区的正上方引入采用宽禁带半导体材料的宽禁带第一导电类型掺杂区，通过上述措施，能够有效改变超结VDMOS器件发生雪崩击穿时雪崩击穿电流路径，使雪崩击穿电流远离寄生BJT的基区，从而避免寄生BJT的发射极正偏，造成BJT开启，从而提高了器件可靠性。

摘要： 本发明公开了一种禁带宽度可调的CdTe

摘要： 本发明公开了一种一种基于LASSO‑SVM快速预测二维钙钛矿禁带宽度的方法及其系统，通过查找近年来发表的二维钙钛矿相关文献，从中提取出二维钙钛矿的化学分子式和禁带宽度值，作为数据集样本。将数据集样本划分为训练集和测试集，根据LASSO方法实现变量的有效选择，继而采用SVM方法进行二维钙钛矿禁带宽度值的回归模型的建立。本发明系统包括输入模块、数据分析模块和输出模块。本发明基于近年来已发表的可靠的文献数据和LASSO‑SVM的组合方法，所建立的二维钙钛矿禁带宽度的预报模型具有快捷高效、节省资源、成本低廉的优点。

摘要： 本发明提供了一种调节石墨烯禁带宽度的方法、石墨烯半导体元件、半导体和应用，涉及石墨烯技术领域。该方法通过使氧化石墨烯、任选的调节剂和水形成的第一溶液在基材表面形成薄膜，然后将形成有薄膜的基材进行干燥、加热，以使薄膜中的氧化石墨烯还原为石墨烯，任选的采用氧化剂进行处理，以调节石墨烯的禁带宽度；其中，通过采用氧化剂或者调节剂对石墨烯进行官能团修饰，使其具有一定的吸电子能力或者给电子能力，从而改变石墨烯的电子激发能，达到连续可控调节石墨烯禁带宽度的目的；另外，该方法中所采用的氧化剂或者调节剂原料廉价、易得，整个处理过程符合无污染、低能耗、低碳排放的理念。本发明还提供了一种石墨烯半导体元件和半导体。

摘要： 本发明公开了一种禁带宽度可缩小的氧化亚铜薄膜的制备方法，包括：(a)依次采用无水乙醇、丙酮清洗ITO衬底，后用二次纯水洗净，在室温环境下用氮气吹干；(b)称量CuSO

摘要： 本发明涉及一种高纯度钽铌酸钾纳米粉体材料的合成制备方法，主要利用混合溶剂中的水热反应进行合成。以异丙醇和水混合作为反应溶剂，以KOH、Nb2O5和Ta2O5作为反应物，利用高压反应釜在200°C恒温下30小时合成颗粒均匀的白色KTN粉体，经表征与计算其粒度为50~100nm，立方相纳米晶形貌，结晶良好，纯度较高。根据KTa1‑xNbxO3化学结构特点调节Ta/Nb配比，合成了不同组分的KTN，经测试其禁带宽度值均不相同，介于3.14eV~3.46eV之间，实现了钽铌酸钾材料的带隙可调节。