含纳米硅的SiO2薄膜电致发光的数值分析

张开彪; 马书懿; 马自军; 陈海霞

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含纳米硅的SiO2薄膜电致发光的数值分析

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考虑到薄膜中存在的缺陷对发光的影响,采用位形坐标为理论模型,对用射频溅射法制备的具有Au/(Si/SiO2)/P-Si结构样品的电致发光谱进行了数值分析.数值结果表明,在SiO2薄膜中存在2个缺陷中心,电子和空穴就是通过这些缺陷中心复合而发光.这一结论与实验符合得很好,并与量子限制效应-复合中心发光的理论结果相一致.

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来源
《西北师范大学学报（自然科学版）》|2005年第5期|37-39|共3页
作者
张开彪; 马书懿; 马自军; 陈海霞;
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作者单位

西北师范大学,物理与电子工程学院,甘肃,兰州,730070;

西北师范大学,物理与电子工程学院,甘肃,兰州,730070;

西北师范大学,物理与电子工程学院,甘肃,兰州,730070;

西北师范大学,物理与电子工程学院,甘肃,兰州,730070;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类光学性质;
关键词
含纳米硅的二氧化硅薄膜; 电致发光; 位形坐标;

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