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含纳米硅粒氧化硅薄膜的光致发光和光吸收研究

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采用磁控共溅射法制备了含纳米硅粒尺寸不同的氧化硅薄膜.对各种样品测量了光致发光谱, 其发光峰位位于655～665nm.通过对样品所作的光吸收测量,确定出了样品中纳米硅粒的光学带隙,并发现光致发光峰位随光学带隙的增加有微小红移.

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来源
《西北师范大学学报（自然科学版）》|2003年第4期|42-4346|共3页
作者
马书懿;
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作者单位

西北师范大学,物理与电子工程学院,甘肃,兰州,730070;

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正文语种 chi
中图分类光学性质;
关键词
纳米硅粒; 光致发光; 光吸收;

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