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Si／C／N纳米粉原位生长SiC晶须

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Ｓｉ／Ｃ／Ｎ纳米粉原位生长ＳｉＣ晶须＊潘正伟①张立同②ＳｉＣ晶须的良好热性能和化学稳定性，特别是接近于单晶的理论强度十分引人注目。目前，制备ＳｉＣ晶须的主要方法有ＳｉＯ２碳热还原法和稻壳法［１］。在这两种方法中，均需要加入催化剂（如Ｆｅ、Ｃｏ等）以形...

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来源
《西北工业大学学报》 |1997年第1期|161-162|共2页
作者
潘正伟; 张立同;
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作者单位

西北工业大学;

西北工业大学;

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原文格式 PDF
正文语种 CHI
中图分类晶须;
关键词
碳化硅; 晶须; 硅／碳／氮纳米粉; 原位生长;

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