半导体基片无损微区测量新方法：I 消发散技术

徐新闻; 戴显熹

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半导体基片无损微区测量新方法：I 消发散技术

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局域自由载流子浓度和微区吸收系数的激光(10.6μm)测量,在集成电路投入生产之前是非常有意义的.当αl<1,(其中l是基片的厚度)出现反常振荡,妨碍正常的测量.我们能够证明,这种反常的峰谷不是由于背景噪声以及吸收的不均匀性所致.是由于基片表面的不平整和干涉所致.细致地求解无穷(传播矩阵)级数,将理论结果与实验曲线比较表明,我们的物理模型和理论是一致的.

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来源
《青岛建筑工程学院学报》 |1992年第4期|86-92|共7页
作者
徐新闻; 戴显熹;
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作者单位

不详;

不详;

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原文格式 PDF
正文语种 CHI
中图分类 TN470.7;
关键词
无损微区测量; 半导体; 集成电路;

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