多晶硅薄膜晶体管源漏轻掺杂结构的优化设计

李牧菊; 杨柏梁

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多晶硅薄膜晶体管源漏轻掺杂结构的优化设计

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应用场助热电子发射（thermionic field emission)模型合理地分析了多晶硅薄膜晶体管中显著漏电流与器件参数及电极电压等因素间的内在关系，讨论了源漏轻掺杂结构在抑制漏电流方面的物理机制，并给出轻掺杂结构参数（如轻掺杂浓度、轻掺杂区域长度等）的优化设计，为多晶硅薄膜晶体管的器件设计提供了可靠的理论依据。

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来源
《半导体学报》 |2002年第4期|P.414-418|共5页
作者
李牧菊; 杨柏梁;
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作者单位

中国科学院长春光学精密机械与物理研究所;

长春130021;

中国科学院长春光学精密机械与物理研究所;

长春130021;

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原文格式 PDF
正文语种 CHI
中图分类 TN321.5;
关键词
多晶硅; 源漏轻掺杂结构; 优化设计; 薄膜晶体管; 热电子发射;

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