表面态密度分布和源漏电阻对6H—SiC PMOS器件特性的影响

郜锦侠; 张义门; 等

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表面态密度分布和源漏电阻对6H—SiC PMOS器件特性的影响

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建立了一个价带附近的界面态密度分布模型，并用该模型较好地模拟了6H-SiC PMOS器件的阈值电压随温度变化的趋势、C-V特性以及转移特性。理论C-V特性曲线是用数值解泊松方程的方法得到的，在解泊松方程的过程中考虑了场致离化效应。由于SiC PMOS器件的源漏电阻比较大，因此，大计算强反型情况下的漏电流时，同时考虑了源漏电阻的影响。结果表明，源漏电阻对漏电流的影响很大。

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来源
《半导体学报》 |2002年第4期|P.408-413|共6页
作者
郜锦侠; 张义门; 等;
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作者单位

西安电子科技大学微电子研究所;

西安710071;

西安电子科技大学微电子研究所;

西安710071;

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原文格式 PDF
正文语种 CHI
中图分类场效应器件;
关键词
表面态密度分布; 源漏电阻; 6H－SiCPMOS; 器件特性;

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