为SIMOX SOI结构的硅膜和二氧化硅埋层厚度模型

牛国富; 阮刚

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本文提出了一个为SIMOX SOI结构的硅膜和二氧化硅埋层厚度解析模型,适用于0.7—2.0 ×10^(18)cm^(-2)剂量范围和50—300keV能量范围,模型与实验测量在大剂量和低能量情况下仍附合较好。本模型对SIMOX工艺优化设计和发展VLSI TCAD具有参考价值,同时给出了在常规氧注入能量(如150keV)下用增大剂量方法制备TF SOI结构的理论依据。

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来源
《半导体学报》 |1993年第9期|573-578|共6页
作者
牛国富; 阮刚;
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作者单位

复旦大学微电子学研究所;

中国科学院上海冶金研究所离子束开放实验室;

上海;

200050;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN304.055;
关键词
硅膜; 二氧化硅; SOI结构; 埋层; SIMOX;

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