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低功率消耗SOI基热光可变光学衰减器

         

摘要

制作了带有U形隔热槽的马赫-曾德干涉型SOI热光可变光学衰减器,在1510~1610nm波长范围内动态调节范围可达到0~29dB.与未加隔热槽的相同结构光学衰减器相比,器件插入损耗和调制深度不受影响,最大功率消耗降低了230mW.

著录项

  • 来源
    《半导体学报》 |2005年第z1期|204-207|共4页
  • 作者单位

    中国科学院半导体研究所;

    光电子研究发展中心;

    北京;

    100083 中国科学院半导体研究所;

    光电子研究发展中心;

    北京;

    100083 中国科学院半导体研究所;

    光电子研究发展中心;

    北京;

    100083 中国科学院半导体研究所;

    光电子研究发展中心;

    北京;

    100083 中国科学院半导体研究所;

    光电子研究发展中心;

    北京;

    100083 中国科学院半导体研究所;

    光电子研究发展中心;

    北京;

    100083;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 光波导;
  • 关键词

    可变光学衰减器; 热光; 隔热槽; 功率消耗;

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