氮化镓注镁(Mg:GaN)的光致发光

谢世勇; 郑有炓; 陈鹏; 张荣; 周玉刚

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氮化镓注镁(Mg:GaN)的光致发光

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利用低压 MOCVD在蓝宝石衬底上外延生长了 Ga N,用离子注入法掺入 Mg杂质 ,退火后 ,进行光致发光测量 ,观察到显著的蓝光发射和黄带发射 .光谱分析给出了与注入 Mg离子相关的 Ga N禁带中能级的精细结构 ,其中 :间位 Mg(Mgi)能级 (导带下 170 m e V)到替位 Mg(Mg Ga)受主能级 (价带上 2 5 0 me V)的跃迁产生了 4 15 nm发光峰 ;该能级到价带上 390 me V能级的跃迁 ,以及带有紧邻 N空位的替位 Mg(Mg Ga VN)能级 (导带下 310 me V)到Mg Ga受主能级的跃迁 ,均产生了 4 38nm发光峰 .另外 ,退火使 Ga N晶格结构部分恢复。

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来源
《半导体学报》 |2002年第2期|149-152|共4页
作者
谢世勇; 郑有炓; 陈鹏; 张荣; 周玉刚;
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作者单位

南京大学物理系;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类材料;
关键词
氮化镓; 掺杂; 离子注入; 光致发光; 镁;

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