蓝宝石衬底上单晶InN外延膜的RFMBE生长

肖红领; 王晓亮; 张南红; 王军喜; 刘宏新; 韩勤; 曾一平; 李晋闽

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采用低温氮化铟(InN)缓冲层,利用射频等离子体辅助分子束外延(RF-MBE)方法在蓝宝石衬底上获得了晶体质量较好的单晶InN外延膜.用光学显微镜观察所外延的InN单晶薄膜,表面无铟滴.InN(0002)双晶X射线衍射摇摆曲线的半高宽为14′;用原子力显微镜测得的表面平均粗糙度为3.3nm;Hall测量表明InN外延膜的室温背景电子浓度为3.3×1018cm-3,相应的电子迁移率为262cm2/(V·s).

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来源
《半导体学报》 |2005年第6期|1169-1172|共4页
作者
肖红领; 王晓亮; 张南红; 王军喜; 刘宏新; 韩勤; 曾一平; 李晋闽;
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作者单位

中国科学院半导体研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN304.054;
关键词
RF-MBE; 氮化铟; DCXRD; AFM;

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