InP材料直接键合技术

李宁; 韩彦军; 郝智彪; 孙长征; 罗毅

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InP材料直接键合技术

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研究了 In P/In P的直接键合技术 ,给出了详细的 In P/In P键合样品的电特性随健合工艺条件变化的数据 ,在低于 6 5 0℃的键合温度下实现了 In P/In P大面积的均匀直接键合 ,获得了与单晶 In P衬底相同的电特性和机械强度 .在器件的键合实验中也获得了成功 ,在 In Ga As P/In P多量子阱激光器结构的外延面上键合 p- In P衬底后制作的激光器激射特性良好 .

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来源
《半导体学报》 |2001年第9期|1217-1221|共5页
作者
李宁; 韩彦军; 郝智彪; 孙长征; 罗毅;
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作者单位

清华大学电子工程系;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN304.23;
关键词
直接键合; 半导体激光器; 磷化铟; 半导体材料;

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