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GaAs/InP直接键合技术的研究

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将硫脲溶液用于 GaAs/InP 基材料低温晶片键合的表面处理工艺，在国内首次实现了GaAs/InP 基材料间简单、无毒性的低温（380℃）晶片键合。并通过界面形貌，解理后断裂面，键合强度及键合界面 I-V 特性对键合晶片进行了分析。

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来源
《第五届全国光子学大会》|2004年||共4页
会议地点黄山
作者
王兴妍; 黄辉; 王琦; 任晓敏; 黄永清; 高俊华;
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作者单位

中国光学学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类引线技术;
关键词
GaAs/InP 基材料; 硫脲溶液; 低温晶片键合; 表面处理;

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