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GaAs/InP低温晶片键合的研究

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摘要

将硫脲溶液用于GaAs/InP基材料低温晶片键合的表面处理工艺,实现了GaAs/InP基材料间简单、无毒性的低温(380℃)晶片键合。并通过界面形貌,解理后断裂面,键合强度及键合界面I-V特性对键合晶片进行了分析。

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来源
《半导体光电》 |2005年第6期|512-514|共3页
作者
王兴妍; 黄辉; 王琦; 任晓敏; 黄永清;
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作者单位

北京邮电大学光通信中心;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类半导体器件制造工艺及设备;
关键词
键合; GaAs/InP; I-V曲线; 光致发光谱;

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