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降低键合多结太阳能电池GaAs/InP界面电学损耗的方法

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摘要

本发明提供一种降低键合多结太阳能电池GaAs/InP界面电学损耗的方法，其包括：步骤1：通过外延生长，将作为键合接触层的GaAs层制备在GaAs衬底上，并将作为另一键合接触层的InP层制备在InP衬底上，其中，GaAs层的掺杂元素采用C；步骤2，分别对通过步骤1得到的GaAs和InP晶片的表面进行表面清洗和氧化物去除，使得处理过的GaAs和InP晶片的表面获得粗糙度小于0.5nm的平整表面；步骤3，将GaAs和InP晶片叠合，并在键合温度400~450℃、压力2~12Mpa的条件下键合，其中，在达到键合温度之前，对叠合后的晶片组施加350~450N的预键合压力；步骤4，在真空气氛下对晶片组进行退火处理。通过该方法，能够得到GaAs/InP键合界面电阻率0.26Ω•cm

著录项

  • 公开/公告号CN104183667B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-04-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海空间电源研究所;

    申请/专利号CN201310198480.2

  • 发明设计人 孙利杰;陈开建;张玮;

    申请日2013-05-24

  • 分类号

  • 代理机构上海航天局专利中心;

  • 代理人冯和纯

  • 地址 200245 上海市闵行区东川路2965号

  • 入库时间 2022-08-23 10:10:35

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-04-17

    授权

    授权

  • 2015-05-27

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/18 申请日:20130524

    实质审查的生效

  • 2014-12-03

    公开

    公开

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