膜厚对柔性ZnO∶Ga透明导电薄膜结构和电学性能的影响

袁玉珍; 吴晓丽

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室温下采用直流磁控溅射法在PI衬底上制备出具有优异光学性能的ZnO∶Ga透明导电薄膜.研究结果表明,制备了具有C轴择优取向的六角纤锌矿结构的多晶GZO透明导电薄膜.讨论了薄膜厚度对PI衬底上制备ZnO∶Ga薄膜的结构、表面形貌和电学性质的影响.实验数据表明,一定同质缓冲层可有效降低薄膜应力,改善薄膜性能,所得GZO薄膜厚度为129nm时,电阻率具有最小值3.2×10-4Ω.cm.

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来源
《山东理工大学学报：自然科学版》 |2012年第3期|10-13|共4页
作者
袁玉珍; 吴晓丽;
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作者单位

山东理工大学理学院;

山东理工大学材料科学与工程学院;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类薄膜物理学;
关键词
ZnO∶Ga; PI; 柔性衬底; 直流磁控溅射; 透明导电薄膜; 电学性能;

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