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邓浩亮;
天津职业技术师范大学理学院,天津300222;
多量子阱; 发光强度比; 热激发; 再俘获;
机译:Ga和AlAs多量子阱中界面缺陷引起的X与不同的第一激发态之间的载流子传输对光致发光性质的影响
机译:堆叠数量对应变平衡InGaAs / GaAsP多量子阱插入太阳能电池中光激发载流子的热逃逸以及非辐射和辐射复合的影响
机译:Gai_(1-x)In_xN_yAs_(1-y)多量子阱中的电荷分离和温度诱导的载流子迁移
机译:建模浓度依赖的载流子迁移率和自热对绝缘体上薄硅基热传感器的电阻的影响
机译:无序多量子阱中的载流子传输。
机译:InGaN / GaN多量子阱LED纳米线中的载流子局部化效应:发光量子效率的提高和负热活化能
机译:Ga1-xInxNyAs1-y多量子阱中的电荷分离和温度诱导的载流子迁移
机译:mOs晶体管模型对载流子迁移率变化的影响。 modele du Transistor mOs影响des mobariite des porteurs的变化
机译:在晶体管器件的情况下,具有减小的由热电荷载流子引起的影响的半导体组件以及用于减小由热电荷载流子引起的影响的数量的方法
机译:高能电子辐照对金取代的电化学还原氧化石墨烯的影响:修饰的光致发光性质
机译:横向限制在多量子阱结构中的载流子
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