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电子束蒸发制备ZnO薄膜及其晶体结构和电学性质

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采用电子束蒸发法制备了ZnO薄膜,研究了退火温度及衬底对薄膜的结晶状况以及电学性质的影响.X射线衍射测试结果表明,相同蒸发条件下制备的ZnO薄膜,硅(100)衬底上薄膜晶粒尺寸为73nm,结晶情况明显好于陶瓷和玻璃衬底上的薄膜.退火之后,各种衬底上薄膜的结晶情况相对未退火时都有明显好转;400℃退火时,薄膜逐渐结晶;600℃退火时,ZnO薄膜体现良好的择优生长的趋势,晶粒长大,晶化程度提高,大部分晶粒发生了织构.在400℃退火后,掺入Al2O3的薄膜和未掺杂的ZnO薄膜的电阻率下降了一个多数量级,但掺入MgO的薄膜电阻率变大,这是由于MgO掺杂起到了补偿作用,掺入MgO有可能实现ZnO薄膜的p型掺杂.

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来源
《武汉大学学报：理学版》 |2004年第5期|563-567|共5页
作者
孟宪权; 陈巍; 李惟芬; 张观明; 马飞; 王栋;
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作者单位

武汉大学物理科学与技术学院;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN304.21;O484.42;
关键词
电子束蒸发; 制备; 氧化锌薄膜; 晶体结构; 电学性质; 退火; p型掺杂;

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