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中国真空学会薄膜技术学术交流会

召开年：2001
召开地：北京
出版时间： 2001-10

主办单位：中国真空学会

会议文集：《真空科学与技术》Vol.22.No.3

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1.射频溅射ZnO薄膜的晶体结构和电学性质
- 黄静华;李德杰
- 《中国真空学会薄膜技术学术交流会》 | 2001年
摘要：氧化锌(ZnO)具有较宽的带隙(3.1eV)和较低的亲合势(3.0eV),有可能用作薄膜场发射阴极中的电子传输层材料.本文主要研究了用射频磁控溅射法制备ZnO薄膜时,衬底温度和溅射气氛对薄膜结晶状况和电学性质的影响.随着衬底温度的升高,薄膜结晶质量得以改善,晶粒择优取向(002)晶向,晶粒大小为50～60nm.溅射时通入一定比例的氧气有助于提高薄膜的绝缘性和耐压性.当衬底温度为180℃,溅射气氛为Ar+O<,2>(25℅)时,ZnO击穿场强为0.35V/10nm.
2.Rb3C60单晶薄膜制备及Rb3C60/C60相界面稳定性研究
- 陈晓;李宏年;吴太权;张建华;庄友谊;吴悦;鲍世宁;李海洋;徐亚伯;钱海杰;刘风琴;易·奎热西
- 《中国真空学会薄膜技术学术交流会》 | 2001年
摘要：通过控制蒸发源电流、源和样品间距及扩散时间,室温下在C<,60>单晶(111)解理面上制备出Rb<,3>C<,60>.用低温同步辐射角分辨光电子谱测量了样品的能带结构.观察到的能带色散表明样品为单晶薄膜.用X光电子谱首次研究了Rb<,3>C<,60>与C<,60>相界面的稳定性.结果表明温度低于约420K时界面是稳定的.
3.扩散、合并和粗化:沉积在液体基底表面Ag原子团簇及薄膜的演变过程
- 杨波;金进生;焦正宽;叶高翔
- 《中国真空学会薄膜技术学术交流会》 | 2001年
摘要：研究了沉积在液体基底表面的Ag原子团簇的扩散、合并和粗化机制.对薄膜生长过程的原位观察结果表明:沉积在硅油表面的Ag原子首先凝聚成具有网状结构的薄膜;然后薄膜破裂成分枝状的碎片,并逐渐凝聚成准圆形团簇;通过扩散和合并,准圆形团簇的尺寸随时间而增大,其数密度随时间而减小.研究发现,准圆形团簇对的扩散系数D和团簇对的总面积S<,o>满足指数关系D∝S<,o><'-a>,其中指数a=0.54±0.08.此外,还对Ag原子准圆形团簇的相对尺寸分布函数及凝聚速率做了详细研究.
4.电介质保护膜对磁光记录膜的磁和磁光特性的影响
- 熊锐;金明桥;刘海林;汤五丰;石兢
- 《中国真空学会薄膜技术学术交流会》 | 2001年
摘要：采用射频磁控溅射制备了非晶TbTeCo薄膜及其保护层AIN薄膜,并研究保护层对薄膜的磁和磁光特性的影响.结果表明,AIN薄膜可以增强薄膜磁光效应,同时,AIN薄膜对TbTeCo磁光薄膜的娇顽力、垂直磁各向异性以及本征克尔角都有一定的影响.其原因来自于溅射过程中N和Al原子对TbTeCo薄膜表面的轰击而导致的界面特性的改变.
5.数字式图像增强系统及其图像的清晰化
- 聂世琦
- 《中国真空学会薄膜技术学术交流会》 | 2001年
摘要：在图像增强管和图像数字化结合方案的基础上,讨论了如何使用数字算法来消除和补偿图像增强管中的由于电子光学系统的像差对图像所产生的影响,使图像清晰化.
6.多介质工艺X射线光刻制作T形栅
- 叶甜春;谢常青;孙加兴;申云琴;刘刚
- 《中国真空学会薄膜技术学术交流会》 | 2001年
摘要：半导体器件日益向高频、高速方向发展,赝质结高电子迁移率晶体以其高频、高速、低噪声受到人们重视而发展迅速.在PHEMT的制作工艺中,栅线条的制作是至关重要而又极为困难的.采用X射线多介质工艺制作T形端,其形貌清晰,线条基本可控,为MMIC制作提供了可靠的工艺.
7.2002年中国电子信息产品市场展望
- 董元昌
- 《中国真空学会薄膜技术学术交流会》 | 2001年
8.新型电子元器件装备列入国家计委组织实施的新型电子元器件专项发展重点
- 董元昌
- 《中国真空学会薄膜技术学术交流会》 | 2001年
9.激光显像管的初步研究
- 吴华夏;洪光烈
- 《中国真空学会薄膜技术学术交流会》 | 2001年
摘要：用高能电子束作泵浦源,去激励半导体晶体屏,可以产生激光,实现高亮度高清晰显示.
10.SSRF光子吸收器的研制
- 蒋迪奎;陈丽萍;殷立新
- 《中国真空学会薄膜技术学术交流会》 | 2001年
摘要：用于SSRF的水平和垂直两种光子吸收器已研制成功.光子吸收器既要吸收高功率负载和高功率密度的废弃的同步辐射,又要准直引出的光束,并受到严重的空间限制.设计仔细考虑了吸收器的结构形状、吸收面上同步辐射功率密度的衡释、吸收体和冷却水的热输运以及吸收体内的热应力及其寿命等问题.用经典热力学公式和ANSYS程序对吸收体进行了热计算.采用了数控机加工、电火花刻蚀加工、电子束焊接和几次钎焊等工艺.光子吸收器样机在日本KEK·PF上进行了光电解吸产额的测试.
11.静电加速器高频离子源引出电极的光学设计
- 卢超;余增亮;詹福如
- 《中国真空学会薄膜技术学术交流会》 | 2001年
摘要：高频离子源管道式引出电极的几何参数对束流引出具有重要影响.本文通过建立束流最佳引出数学模型,对引出电极的几何参数进行了离子光学计算,确定了适合引出H<'+>,N<'+>,Ar<,+>等多种束流的引出电极合适的几何参数,并综合气耗、束流强度等因素设计了用于5.5MeV静电加速器高频离子源的引出电极.理论计算和实验表明了该设计方法的有效性.
12.放电间隙和显示电极宽度对彩色AC-PDP光电特性的影响
- 胡文波;孙鉴
- 《中国真空学会薄膜技术学术交流会》 | 2001年
摘要：为了提高彩色AC-PDP的性能,以放电间隙和显示电极宽度对表面放电型AC-PDP光电特性的影响进行实验研究和理论分析.结果表明,表面放电型AC-PDP显示电极间的放电不符合巴邢定律,即着火电压U<,f>不是气体压强p和放电间隙g<,1>乘积的函数,并且在U<,f>-pg<,1>曲线上,随着g1增加,最小着火电压U<,fmin>上升,(pg1)<,min>向增大的方向偏移,同时放电间隙增加还引起维持电压余度增大,亮度和光效提高;随着显示电极宽度增加,平均放电电流增大,亮度提高,而光效保持不变.根据这些实验结果,总结出放电间隙和显示电极宽度的设计方法.
13.真空共蒸发沉积制备酞菁铜-酞菁铅复合膜及性能研究
- 季振国;朱玲;汪茫;阙端麟;王家为;郭伟民;刘焕明
- 《中国真空学会薄膜技术学术交流会》 | 2001年
摘要：本文通过真空共蒸发制备了酞菁铜-酞菁铅复合膜.光电子谱测试发现真空共蒸发制备的复合膜中同时具有铜和铅的成分,相对含量与源中酞菁铜与酞菁铅的含量有关.光吸收谱分析表明复合膜的吸收带(Q带)明显发生宽化,其波长覆盖范围扩展到600～1200nm.进一步分析表明复合膜的吸收谱并不是酞菁酮和酞菁铅吸收谱的简单叠加,尤其是在近红外波段复合膜的吸收有所加强,吸收边有明显的红移现象,本文对这一现象进行了简单的描述.
14.真空发生器系统吸附响应时间的确定
- 姚朝晖;何枫;陈远
- 《中国真空学会薄膜技术学术交流会》 | 2001年
摘要：真空发生器是一种重要的真空发生装置,广泛地应用于自动化生成领域.本文的目的是确定真空发生器系统的吸附响应时间以实现过程的精密控制.文中根据瞬变流理论和真空发生器的流量特性,建立了用于计算真空发生器吸附系统真统真空度时间变化以及吸附响应时间的数学模型,利用特征线方法进行了数值求解,数值模拟结果与实验值吻合得相当好.从而证明了所建立的真空发生器系统吸附响应时间模型的正确性.
15.射频溅射法制作Y2O2S:Eu发光薄膜
- 成建波;李军建;祁康成
- 《中国真空学会薄膜技术学术交流会》 | 2001年
摘要：大钇铝石榴石单晶基片上用射频溅射法制取了Y<,2>O<,2>S:Eu红色发光薄膜.利用正交试验法,对溅射气体(Ar+H<,2>S)中H<,2>S浓度、退火气氛中SO<,2>与H<,2>的比例.退火温度和退火时间等工艺条件进行了优化试验.给出了实验结果并对其进行了讨论.
16.场发射显示器支撑墙机械强度的计算与分析
- 袁璟;张军;李德杰;杜秉初
- 《中国真空学会薄膜技术学术交流会》 | 2001年
摘要：计算了几种不同材料支撑墙在不同承压和允许倾斜角度范围内的应力和形变分布.计算结果表明,采用热压氮化硅或氧化锆陶瓷制作的支撑墙具有足够的机械强度,是支撑墙材料的较好选择.
17.超细Y2O3:Eu荧光粉的制备及其阴极射线发光研究
- 李军建;成建波;刘诗逸;赵纯经
- 《中国真空学会薄膜技术学术交流会》 | 2001年
摘要：介绍了尿毒-溶胶法制备粒径为100～200nm的超细Y<,2>O<,3>:Eu荧光粉的实验.对荧光粉的粒径和形貌进行了SEM分析,测量和分析了荧光粉的XRD谱图以及微观晶体结构,测量了8kV电压下荧光粉的阴极射线发光的光谱和亮度,并与商品微米Y<,2>O<,3>:Eu荧光粉进行了比较.对实验结果进行了讨论.
18.HT-7U纵场磁体的真空压力浸渍
- 崔益民;潘皖江;武松涛
- 《中国真空学会薄膜技术学术交流会》 | 2001年
摘要：主要通过模拟匝间流动试验、短样试验和长样试验等,探求低温超导托卡马克HT-7U中从场磁体线圈的绝缘层真空压力浸渍的工艺参数,确定工艺流程,并以模型线圈试验的电性能和液氦温度下的力学性能来验证工艺参数及工艺流程的可靠性.
19.原位氮掺杂对CVD金刚石薄膜生长和结构的影响
- 邵乐喜;刘小平;屈菊兰;谢二庆;贺德衍;陈光华
- 《中国真空学会薄膜技术学术交流会》 | 2001年
摘要：以氮气为杂质源,采用微波等离子体化学气相沉积技术进行了金刚石薄膜的原位掺杂,研究了氮掺杂对CVD金刚石薄膜的形貌结构和生长行为的影响.运用SEM,Raman,XRD和FTIR等手段对样品进行了分析表征.实验结果表明,原位氮掺杂的CVD金刚石薄膜的晶面显露、晶粒尺寸、致密性、生长速率以及薄膜的微结构特征等均强烈地依赖于反应气体中氮源浓度比;如果氮源气体流量适当,杂质氮不仅能进入金刚石薄膜晶格中,还能与薄膜中碳原子形成化学键结合.
20.电弧离子镀硬质梯度薄膜技术
- 林国强
- 《中国真空学会薄膜技术学术交流会》 | 2001年
摘要：电弧离子镀设备若具有必要的功能条件,就可用纯金属分离靶弧流控制技术来制取多元硬质梯度薄膜,本工作明确合成梯度薄膜的工艺原则,并以TiAl多层合金梯度薄膜和（Ti,M）N(M为Zr,Nb等元素)硬质梯度薄膜为例,进一步展开说明该技术的工艺过程,对实际效果给予评定.结果表明,用电弧等离子镀技术制备多元硬质梯度薄膜,具有操作简便、沉积速度快、成分调节范围等优点,为多元复合硬质薄膜的合金强化机制与结构化研究,提供了关键的技术条件.
21.ECR等离子体中电子能量分析器实验曲线的修正
- 温晓辉;詹如娟;张锐
- 《中国真空学会薄膜技术学术交流会》 | 2001年
摘要：对电子回旋共振等离子体中使用的电子能量分析器实验曲线偏离理想情况的几种现象进行了讨论,并提出了相应的修正和拟合的方法.
22.a-Si:H/Al/a-Si:H三层复合膜的低温晶化研究
- 王瑞春;杜丕一;沈鸽;翁文剑;韩高荣;赵高凌;张溪文
- 《中国真空学会薄膜技术学术交流会》 | 2001年
摘要：采用真空热蒸发与PECVD方法,在特殊设计的"单反应室双沉积法"薄膜沉积设备中沉积a-Si:H/Al/ a-Si:H三层复合薄膜,并利用XRD,XPS及SEM等方面对薄膜在不同温度退火后的晶化行为进行了研究.结果表明,随着热处理过程的进行,金属Al逐步向表面扩散,在金属Al诱导下a-Si:H层出现晶化的温度不高于250℃.在Al层厚度低于22nm时, a-Si:H向晶态硅转变量的与Al量厚度无关.