低温增强型非晶铟镓锌氧薄膜晶体管特性研究

李远洁; 江凯; 刘子龙

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在室温下利用射频磁控溅射沉积非晶铟镓锌氧化物(a-IGZO)薄膜作为有源沟道层,分别制备了顸栅和底栅结构的薄膜晶体管(a-IGZO-TFTs)原型器件,同时研究了沟道层生长参数及后退火工艺对器件特性的影响.研究及实验结果表明:当增加底栅结构a-IGZO-TFTs器件IGZO沟道层氧气流量时,器件输出特性由耗尽型转变为增强型;当沟道宽长比为120:20时,获得了4.8×105的开关电流比,亚阈值摆幅为1.2 V/dec,饱和迁移率达到11 cm2/(V·s).沟道层氧气流量为2 cm3/min的底栅结构a-IGZO-TFT器件在大气中经过300℃退火30 min后,器件由耗尽型转变为增强型,获得4×103的开关电流比.

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来源
《西安交通大学学报》 |2015年第12期|1-5,18|共6页
作者
李远洁; 江凯; 刘子龙;
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作者单位

西安交通大学电子与信息工程学院,710049,西安;

西安交通大学固态照明工程研究中心,710049,西安;

西安交通大学电子与信息工程学院,710049,西安;

西安交通大学固态照明工程研究中心,710049,西安;

西安交通大学电子与信息工程学院,710049,西安;

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正文语种 chi
中图分类 TN321.5;
关键词
薄膜晶体管; 非晶铟镓锌氧化物; 输运特性; 磁控溅射沉积;

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