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多量子阱结构的MOVPE生长

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利用金属有机气相沉积技术生长ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ多量子阱结构，通过改变生长程序，得到了优化的陡峭量子阱界面．并利用光致发光（ＰＬ）和Ｘ射线双晶衍射对其界面质量分析，Ｘ射线双晶衍射表明界面起伏为一个原子层厚度。

著录项

来源
《厦门大学学报：自然科学版》 |1997年第3期|359-363|共5页
作者
陈松岩; 陈龙海; 黄美纯; 刘宝林; 洪火国; 李玉东; 王本忠; 刘式墉;
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作者单位

厦门大学物理学系;

集成光电子国家重点联合实验室吉林大学实验区;

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正文语种 chi
中图分类 TN304.054;
关键词
多量子阱; 气相沉积; MOVPE; 光电器件; 半导体;

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