国家重点研发计划“GaN基新型电力电子器件关键技术”年度交流会议召开

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1月12日,由西安电子科技大学敖金平教授牵头承担的国家重点研发计划“战略性先进电子材料”重点专项项目“GaN基新型电力电子器件关键技术”的年度交流会在深圳大学物理光电中心举行。西安电子科技大学微电子学院和科研院以及来自北京大学、南京大学、深圳大学等13家参研单位的课题负责人、科研骨干等15人参加了会议。随后,项目的四个课题负责人分别针对各自课题作了研究报告。课题一由敖金平教授介绍了2018年高阈值电压高速度常关型GaN基平面功率器件方向取得的进展,并对2019年工作进行展望。课题二由北京大学王茂俊副教授介绍2018年度高耐压GaN基垂直结构功率器件方向取得的进展,并对2019年工作进行展望。课题三由南京大学叶建东教授介绍2018年度GaN基功率器件雪崩击穿效应与新型耐压结构方向取得的进展,并对2019年工作进行展望。课题四由深圳大学刘新科副教授介绍2018年度高频高效率超小型GaN基功率开关电源模块方向取得的进展,并对2019年工作进行展望。

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来源
《西安电子科技大学学报》|2019年第3期|13-13|共1页
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正文语种 chi
中图分类 TN304.23;
关键词
电力电子器件; GaN; 交流会; 技术; 研发; 西安电子科技大学; 功率器件; 深圳大学;

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