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庄榕榕; 蔡平;
闽南师范大学物理与信息工程学院;
漳州市明思达电子有限公司;
峰值波长偏移; GaN基; 热效应; 极化场; 屏蔽效应;
机译:使用InN / GaN多量子阱评估绿色和蓝色发光二极管的波长偏移
机译:在SiO2底层上使用Si亚波长光栅从GaN基紫外发光二极管产生高偏振发射
机译:低对比度亚波长光栅形状对GaN基发光二极管发射偏振特性的影响
机译:GaN基发光二极管中InGaN / GaN / InGaN多层势垒的研究
机译:研究和优化GaN基发光二极管中的载流子传输,载流子分布和效率下降
机译:无需预激活p型GaN的GaN基发光二极管的制造和表征
机译:具有p型势垒和垂直堆叠量子阱的GaN基双波长发光二极管的研究
机译:激发波长依赖和时间分辨光致发光研究铕掺杂GaN生长的中断生长外延(IGE)。
机译:GaN基发光二极管的波长调谐,深供体的引入,发光二极管阵列和显示的调谐
机译:使用GaN基质作为生长基质的GaN基发光二极管
机译:使用GaN衬底作为生长衬底的GaN基发光二极管和包括该衬底的发光器件
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