退火对ZnS薄膜光学性质和结构的影响

张天红; 薛书文; 苏海桥; 袁兆林; 陈猛; 祖小涛

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退火对ZnS薄膜光学性质和结构的影响

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采用真空蒸发法在石英基片上制备了ZnS薄膜,把制备好的ZnS薄膜进行退火处理,温度从300℃到900℃,退火时间为1h.利用扫描电镜(SEM)研究了薄膜厚度随退火温度的变化,利用光致发光谱(PL)和光吸收研究了在不同退火温度处理下薄膜光学性质的变化.结果显示,700℃随退火温度的升高,薄膜厚度变小,而700℃以后,随退火温度的升高薄膜厚度变大.光吸收显示,随退火温度的升高,薄膜在可见光范围内的光吸收逐渐降低,光学带宽发生蓝移,700℃以后,随退火温度身高,光吸收有一定的升高,光学带宽发生红移.光致发光显示,随退火温度的升高,ZnS薄膜与深能级缺陷相关的发光带(DLE)增强,700℃后薄膜,随退火温度的升高,DLE减弱.

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来源
《岭南师范学院学报》 |2010年第3期|47-52|共6页
作者
张天红; 薛书文; 苏海桥; 袁兆林; 陈猛; 祖小涛;
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作者单位

电子科技大学应用物理系;

湛江师范学院物理学院;

电子科技大学微电子与固体电子系;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类光波通信、激光通信;
关键词
ZnS薄膜; SEM; 光致发光; 退火;

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